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Toshiba stellt 4500V, 1200A IEGT-Modul vor
Modul im Kunststoffgehäuse kombiniert IEGT und Diode –Hochleistungsschaltanwendungen erzielen so einen höheren Wirkungsgrad, kleinere Baugröße und geringeres Gewicht.
Das ist eine Produktankündigung von Toshiba. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Toshiba Electronics Europe stellt ein 4500V, 1200A Leistungsmodul vor. Es kann für Anwendungen in der Bahntechnik, in Industrie-Antriebssteuerungen, Systemen der erneuerbaren Energien sowie bei der Stromübertragung und –verteilung genutzt werden. Das MG1200GXH1US61 PMI (Plastic Case Module IEGT) enthält einen n-Kanal IEGT (Injection-Enhanced Gate Transistor) und eine Fast Recovery Diode (FRD). Sein Standardgehäuse misst 140mm x 190mm.
Das neue Modul eignet sich für wesentlich höhere Ströme in der 4500V-Modulklasse. Seine Vorteile: Es hilft Energie zu sparen, Platz sowie Gewicht in Hochleistungsschaltanwendungen (Umrichtern, Wechselrichtern und Antriebssteuerungen u.a.).
Das MG1200GXH1SU61 bietet eine Isolationsspannung von 6 kV effektiver Wechselspannung über eine Minute. Beim Ausschalten handhabt es Kollektor-Spitzenströme bis zu 2400A. Die Kollektor-Verlustleistung beträgt bei 25°C 4000W. Die Betriebstemperaturspanne von -40°C bis +150°C ist kompatibel zum erweiterten Temperaturbereich, typisch für High-Voltage-Anwendungen.
