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© otnaydur dreamstime.com Komponenten | 10 MĂ€rz 2015

Dual Sourcing für selbstsperrende 600-V-GaN-Leistungsbausteine

Infineon und Panasonic haben eine Vereinbarung zur gemeinsamen Entwicklung von Galliumnitrid-(GaN)-Bausteinen unterzeichnet.
Diese basieren auf der selbstsperrenden GaN-auf-Silizium-Transistorstruktur von Panasonic, die in ein oberflĂ€chenmontierbares (SMD)-GehĂ€use von Infineon integriert wird. In diesem Zusammenhang hat Panasonic eine Lizenz fĂŒr die selbstsperrende GaN-Transistorstruktur an Infineon vergeben. Beiden Unternehmen können nun auf Grundlage der Vereinbarung hochleistungsfĂ€hige GaN-Bausteine herstellen. Die Partner haben sich darauf verstĂ€ndigt, keine weiteren Vertragsdetails zu veröffentlichen. Muster eines 600 V 70 m℩-Bausteins in einem DSO-(Dual Small Outline)-GehĂ€use werden die Unternehmen erstmalig auf der Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC) vorstellen, die vom 15. bis 19. MĂ€rz 2015 in Charlotte, North Carolina, USA, stattfindet. GaN-on-Silicon findet in der Fachwelt grĂ¶ĂŸte Beachtung als eine der nĂ€chsten Verbindungshalbleitertechnologien, die einerseits eine hohe Leistungsdichte und deshalb kleinere MontageflĂ€chen beispielsweise fĂŒr Stromversorgungen und Adapter ermöglicht. Andererseits dient sie als wesentlicher SchlĂŒssel zur Verbesserung der Energieeffizienz. Auf der GaN-on-Silicon-Technologie basierende Leistungshalbleiter können generell in einem breiten Anwendungsspektrum eingesetzt werden: von industriellen Hochvolt-Anwendungen wie Stromversorgungen in Serverfarmen (ein potenzielles Einsatzgebiet des ausgestellten 600-V-GaN-Bausteins) bis hin zu Niederspannungs-Applikationen wie die DC-DC-Umwand-lung in High-end VerbrauchsgĂŒtern. Einem Marktforschungsbericht von IHS zufolge wird der Markt fĂŒr auf GaN-on-Silicon basierende Leistungshalbleiter voraussichtlich mit einer durchschnittlichen jĂ€hrlichen Wachstumsrate von mehr als 50% ansteigen. Das Volumen, das 2014 laut IHS bei 15 Millionen USD lag, wĂŒrde damit bis zum Jahre 2023 auf 800 Millionen USD zulegen. “Es ist unser Anspruch, die Kunden von Infineon mit einem branchenfĂŒhrenden Produkt- und Technologie-Portfolio zu versorgen. Das schließt zuverlĂ€ssige Leistungshalbleiter auf Galliumnitrid-Basis ein. Mit dem selbstsperrenden GaN-on-Silicon-Schalter in Verbindung mit dem dazugehörigen Treiber und einer optimierten Ansteuerschaltung können wir ihnen einen hohen Mehrwert liefern. Und unser Dual-Sourcing-Konzept hilft unseren Kunden zusĂ€tzlich dabei, Versorgungsketten zu managen und zu stabilisieren”, stellte Andreas Urschitz fest, Leiter des GeschĂ€ftsbereichs Power Management & Multimarket der Infineon Technologies AG. “Panasonic konnte die selbstsperrende GaN-Leistungstechnologie, die sich durch eine einfache Konfiguration und leicht zu regelnde Dynamik auszeichnet, aufgrund der Erfahrung im Bereich der Verbindungshalbleiter entwickeln. Mit der Lizenzvergabe der selbstsperrenden GaN-Transistorstruktur an Infineon erwarten wir eine schnellere Verbreitung von GaN-Leistungshalbleitern. Mit der innovativen Weiterentwicklung unserer selbstsperrenden GaN-Technologie werden wir kontinuierlich zu Lösungen von verbraucherspezifischen Anforderungen beitragen”, sagte Toru Nishida, President of Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.
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2019.03.20 22:26 V12.5.11-1