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© pengyou93 dreamstime.com Markt | 05 März 2015

Episil produziert Leistungselektronikbauteile mit Aixtron Anlage

Der taiwanesische Konzern Episil Semiconductor Wafer, Inc. hat erfolgreich eine AIX G5 WW (Warm-Wall)-Anlage zur Herstellung von Siliziumkarbid (SiC) in Betrieb genommen hat.
Dr. Ian Chen, Vorstandsvorsitzender von Episil, erläutert: „Die hervorragende Materialqualität, die mit den Planetenreaktor-Anlagen von Aixtron erzielt werden kann, hat den Ausschlag für diese Bestellung gegeben. Episil ist bereits ein führender Hersteller von siliziumbasierten Bauteilen zur Leistungssteuerung sowie von integrierten Schaltungen. Darüber hinaus verfügen wir über Erfahrungen mit Aixtron’s MOCVD-Technologie zur Herstellung von Galliumnitrid-auf-Silizium-Komponenten (GaN-auf-Si) und planen nun, unser Portfolio auch auf SiC-basierte Bauelemente auszuweiten.“

Sowohl Siliziumkarbid als auch Galliumnitrid werden für Anwendungen in der Leistungselektronik weiterentwickelt. Obwohl SiC-Bauelemente bereits in verlustarmen Leistungsschaltern auf deutlich höheren Wechselfrequenzen als etablierte Silizium-Bauteile eingesetzt werden, sind für Halbleitermaterialien aus Siliziumkarbid sehr hohe Wachstumstemperaturen erforderlich. Das stellt wiederum spezielle Anforderungen an den Epitaxieprozess.

Episil war bei der Gründung 1985 der erste Standort für Epitaxieprozesse in Taiwan. Heute beschäftigt das Unternehmen mehr als 1'400 Mitarbeiter und verfügt über eine Marktkapitalisierung von über 100 Mio. US-Dollar. Der Konzern betreibt darüber hinaus ein Werk mit bipolaren, CMOS-, DMOS- und BCD-Prozessen zur Wafer-Produktion.

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