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© pengyou93 dreamstime.com Markt | 05 MĂ€rz 2015

Episil produziert Leistungselektronikbauteile mit Aixtron Anlage

Der taiwanesische Konzern Episil Semiconductor Wafer, Inc. hat erfolgreich eine AIX G5 WW (Warm-Wall)-Anlage zur Herstellung von Siliziumkarbid (SiC) in Betrieb genommen hat.
Dr. Ian Chen, Vorstandsvorsitzender von Episil, erlĂ€utert: „Die hervorragende MaterialqualitĂ€t, die mit den Planetenreaktor-Anlagen von Aixtron erzielt werden kann, hat den Ausschlag fĂŒr diese Bestellung gegeben. Episil ist bereits ein fĂŒhrender Hersteller von siliziumbasierten Bauteilen zur Leistungssteuerung sowie von integrierten Schaltungen. DarĂŒber hinaus verfĂŒgen wir ĂŒber Erfahrungen mit Aixtron’s MOCVD-Technologie zur Herstellung von Galliumnitrid-auf-Silizium-Komponenten (GaN-auf-Si) und planen nun, unser Portfolio auch auf SiC-basierte Bauelemente auszuweiten.“ Sowohl Siliziumkarbid als auch Galliumnitrid werden fĂŒr Anwendungen in der Leistungselektronik weiterentwickelt. Obwohl SiC-Bauelemente bereits in verlustarmen Leistungsschaltern auf deutlich höheren Wechselfrequenzen als etablierte Silizium-Bauteile eingesetzt werden, sind fĂŒr Halbleitermaterialien aus Siliziumkarbid sehr hohe Wachstumstemperaturen erforderlich. Das stellt wiederum spezielle Anforderungen an den Epitaxieprozess. Episil war bei der GrĂŒndung 1985 der erste Standort fĂŒr Epitaxieprozesse in Taiwan. Heute beschĂ€ftigt das Unternehmen mehr als 1'400 Mitarbeiter und verfĂŒgt ĂŒber eine Marktkapitalisierung von ĂŒber 100 Mio. US-Dollar. Der Konzern betreibt darĂŒber hinaus ein Werk mit bipolaren, CMOS-, DMOS- und BCD-Prozessen zur Wafer-Produktion.
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2019.03.19 14:55 V12.5.7-2