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© balint radu dreamstime.com Komponenten | 09 Februar 2015

Infineon stellt OptiMOS™ 5 80 V und 100 V vor

Die Infineon Technologies AG erweitert das OptiMOS™ 5-Produktportfolio um 80 V- und 100 V-MOSFETs.

Das ist eine Produktankündigung von Infineon Technologies. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Die neueste Generation von Leistungs-MOSFETs ist für hohe Schaltfrequenzen ausgelegt, die insbesondere bei Anwendungen mit Synchrongleichrichtern für Telekommunikationsanlagen und Servernetzteile sowie in Industrieanwendungen wie beispielsweise Solaranlagen, Niederspannungsantrieben und Netzteilen zum Einsatz kommen. Die neuen OptiMOS 5-MOSFETs bieten den branchenweit geringsten Einschaltwiderstand (R DS(on)), der im Vergleich zur vorherigen Generation bei 80 V-Leistungshalbleitern bis zu 45 % niedriger und bei 100 V-Leistungshalbleitern bis zu 24 % niedriger ausfällt. Dank des geringeren Widerstands sind deutlich weniger Parallelschaltungen von Bausteinen notwendig, wodurch Materialkosten gesenkt werden. Die neu eingeführte MOSFET-Generation sorgt für eine maximale Leistungsdichte und Energieeffizienz. Die OptiMOS 5 80 V-Variante bietet gegenüber seinen Vorgängermodellen einen um 38 % niedrigeren Ausgangsstrom, und die OptiMOS 5 100 V-Variante einen um 25 % niedrigeren Ausgangsstrom. Dies bedeutet geringere Schaltverluste und Spannungsüberschwingungen bei hart schaltenden Topologien und Synchrongleichrichtern und ermöglicht eine schnellere Anwendungsentwicklung und damit verbunden niedrigere Kosten. Die um 24 % geringere Gate-Ladung des 80 V-MOSFETs und die um 29 % geringere der 100 V-Variante reduziert zudem Schaltverluste insbesondere im Schwachlastbetrieb und in Anwendungen mit hohem Effizienzbedarf während des gesamten Lastbereichs etwa bei Mikro-Wechselrichtern und Leistungsoptimierern für Solaranwendungen. Verfügbarkeit Die OptiMOS 5 80 V- und 100 V-MOSFETs werden in sieben verschiedenen Gehäusen angeboten: SuperSO8, S308, TO-Leadless, TO-220, TO-220 FullPAK, D²PAK und D²PAK 7Pin mit einem R DS(on) von 1-4 mΩ, 4-8 mΩ und 8-2 mΩ für die 80 V-Variante und 1-4 mΩ, 4-8 mΩ und 8-10 mΩ für die 100 V-Variante. Muster sind in beiden Spannungsklassen und allen Gehäusen erhältlich. Die Produkte werden in Serie gefertigt.
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2019.10.22 20:26 V14.6.0-1