STMicro erweitert seine Familie von Siliziumkarbid-MOSFETs

Zu diesem Segment gehören beispielsweise Wechselrichter für Elektro- und Hybridfahrzeuge, Photovoltaik- und Windkraftanlagen, hocheffiziente Antriebe, Stromversorgungen und Smart-Grid-Equipment. ST gehört zu den wenigen Anbietern, die die Entwicklung der ebenso robusten wie effizienten Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter vorantreiben. Der für 1.200 V spezifizierte SCT20N120 baut die Familie nunmehr weiter aus. Er bietet einen Einschaltwiderstand (RDS(on)) von besser als 290 mOhm – und dies bis zur maximalen Sperrschichttemperatur von 200 °C. Die einheitliche Schalt-Performance über den Temperaturbereich ist der hochstabilen Abschaltenergie (Eoff) und Gateladung (Qg) zu verdanken. Die daraus resultierenden geringen Leitungs- und Schaltverluste sorgen zusammen mit dem extrem niedrigen Leckstrom für ein einfacheres Wärmemanagement und ein Maximum an Zuverlässigkeit. Abgesehen von ihren geringeren Schaltverlusten ermöglichen die Siliziumkarbid-MOSFETs von ST die Verwendung von Schaltfrequenzen, die dreimal höher sind als sie mit Silizium-IGBTs mit vergleichbaren Kenndaten möglich wären. Dies wiederum erlaubt den Designern die Verwendung kleinerer externer Bauelemente, was die Abmessungen verringert, das Gewicht senkt und für niedrigere Bauelementekosten sorgt. In Anwendungen wie zum Beispiel Power-Modulen für Elektrofahrzeuge macht die Eignung des SCT20N120 für hohe Temperaturen außerdem das Design der Kühlsysteme einfacher. Der SCT20N120 besitzt als zusätzlichen Vorteil das proprietäre HiP247™-Gehäuse von ST, dessen höhere thermische Effizienz einen zuverlässigen Betrieb bei Temperaturen bis zu 200 °C gestattet. Dennoch bleibt die Kompatibilität zum Umriss des als Industriestandard etablierten Leistungsgehäuses TO-247 gewahrt. Der SCT20N120, dessen Massenfertigung bereits begonnen hat, wird zu einem Preis von 8,50 US-Dollar (ab 1.000 Stück) angeboten.