STMicro macht Smart-Power-Technologie BCD8sP verfügbar

STMicroelectronics (NYSE: STM), ein weltweit führender Halbleiterhersteller mit Kunden im gesamten Spektrum elektronischer Applikationen, und CMP (Circuits Multi Projets®) haben die für Smart-Power-ICs vorgesehene Technologieplattform BCD8sP von ST jetzt über die Silicon Brokerage Services von CMP für das Prototyping durch Universitäten, Forschungslabors und Designunternehmen verfügbar gemacht. Die Tatsache, dass ST hiermit erstmals BCD-Designfähigkeiten an Drittunternehmen herausgegeben hat, spiegelt die wachsende Bedeutung wider, die die Leistungsschaltungs-Integration nach dem neuesten Stand der Technik für das Streben nach mehr Performance in künftigen Computing-, Consumer- und Industrie-Applikationen hat. „Wir erwarten, dass uns CMP bei der Identifikation und Unterstützung innovativer Projekte sowie hoffentlich auch beim Aufbau langfristiger Verbindungen mit talentierten Designern und Forschungs-Organisationen hilft“, erklärt Claudio Diazzi, Sense & Power and Automotive Sector, Front-End Manufacturing and Technology R&D, VP-Smart Power Technologies bei STMicroelectronics. Der BCD8sP-Prozess ist die fortschrittlichste Bipolar-CMOS-DMOS- (BCD-) Technologie, die ST in der Produktion einsetzt. Er ermöglicht die Integration von Analog- und Logikschaltungen zusammen mit Hochvolt-Leistungsbauteilen zur Produktion von Single-Chip-Bausteinen für komplexe Stromumformungs- und Steuerungs-Anwendungen. Der Prozess ermöglichte es ST, seine Mitbewerber in wichtigen Anwendungen hinter sich zu lassen, wie zum Beispiel bei Festplatten-Controllern, Motorreglern und Power-Management-ICs beispielsweise für Smartphones, Tablets und Computerserver. Die Aufnahme des BCD8sP-Prozesses von ST in den CMP-Katalog setzt die erfolgreiche Zusammenarbeit fort, die Universitäten und Designunternehmen bereits den Zugriff auf frühere Bulk-CMOS-Generationen der Spitzenklasse beispielsweise mit 28 nm, 65 nm und 130 nm Strukturbreite eröffnet hat. Die Kunden von CMP haben darüber hinaus Zugang zu 28 nm FD-SOI- und 130 nm SOI-Prozessen (Silicon-On-Insulator) sowie zu einem 130 nm SiGe-Prozess von STMicroelectronics. „Mit der Aufnahme des zur Weltklasse zählenden BCD-Prozess von ST in unser Portfolio sind wir nunmehr in der Lage, noch fundiertere Unterstützung für fortschrittliche Smart-Power-Designprojekte zu bieten“, sagt CMP-Direktor Jean-Christophe Crebier. „Viele führende Universitäten auf der ganzen Welt haben bereits von der Zusammenarbeit zwischen CMP und ST profitiert. Mehr als 300 Projekte wurden bereits auf Basis des 90 nm Prozesses von ST entworfen, über 350 außerdem mit der Bulk 65 nm Technologie. Bereits mehr als 50 Projekte haben darüber hinaus das Prototyping mit der 28 nm FD-SOI-Technologie absolviert.“