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© arkadi bojarsinov dreamstime.com Komponenten | 26 November 2014

IDT präsentiert intern angepassten Breitband-HF-VGA mit hoher Linearität

Der IDT F0480 vereinfacht das Design rund um die HF-VGA-Funktion (Variable Gain Amplifier) und sorgt für eine zuverlässige Implementierung.
Das ist eine Produktankündigung von Integrated Device Technology, Inc.. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Integrated Device Technology, Inc. (IDT®) stellt mit dem F0480 einen intern angepassten Breitband-HF-VGA (einstellbaren Hochfrequenzverstärker) für 400 bis 2700 MHz vor, mit dem sich das Design vereinfacht und eine zuverlässige Implementierung durchführen lässt. Der Baustein liefert eine hohe HF-Performance und vereint IDTs Glitch-FreeÔ DSA (digitales Dämpfungsglied) und Zero-DistortionÔ-Technik in einem kompakten 5 mm x 5 mm Gehäuse.

Durch eine robustere und zuverlässigere Technik ist der Chip weniger anfällig gegen Feuchtigkeit und bietet einen besseren ESD-Schutz (gegen elektrostatische Entladung) als GaAs-Bausteine (Gallium-Arsenid), die eine externe Anpassung erfordern. Der F0480 eignet sich für 4G-Mobilfunk-Basisstationen, Breitband-Repeater, verteilte Antennensysteme und Mikrowellen-Backhaul-Systeme.

Mit diesen Innovationen enstand ein führender VGA mit +41 dBm OIP3 und 13 dB maximaler Verstärkung. Hinzu kommen ein breiter Verstärkungsregelbereich von 23 dB in 1dB-Schritten, eine Rauschzahl von 4 dB und ein Stromverbrauch von nur 100 mA. „Der IDT F0480 bietet einzigartige Funktionen und erfüllt die hohen Anforderungen beim Design und der Implementierung von HF-VGAs“, erklärte Chris Stephens, Senior Director, Wireless Product Definition and Marketing bei IDT. „Die geringe Leistungsaufnahme von weniger als 500 mW vereinfacht die Anforderungen an das Wärmemanagement, und die interne breitbandige Anpassung macht die Systemintegration einfach.“

Der F0480 ist für 2 kV ESD und einen MSL-Wert (Moisture Sensitivity Level) von 1 ausgelegt – verglichen zu MSL3 bei konkurrierenden GaAs-Bausteinen. Der flache Verstärkungsanstieg über der Frequenz verringert dabei Verluste auf der Leiterplatte.

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2018.05.11 10:46 V9.5.4-2