GaN-basierte Leistungselektronik mit höchstem Wirkungsgrad

Diese strategische Zusammenarbeit nutzt die Stärken beider Unternehmen. Transphorm ist das erste Unternehmen, das qualifizierte 600V-GaN-auf-Silizium-Transistoren anbietet und über ein umfassendes Know-how auf diesem Gebiet verfügt. ON Semiconductor ist ein führender Anbieter energieeffizienter Leistungselektronik und bietet umfangreiches Wissen rund um das Systemdesign, ein großes Angebot an diskreten Leistungshalbleitern, hochleistungsfähige AC/DC-Controller, integrierte Switcher und kundenspezifische ASIC-Power-Management-Lösungen. In der Leistungselektronik hat sich gezeigt, dass GaN im Vergleich zu Silizium-basierten Bauteilen erhebliche Leistungsvorteile bietet. Die neuen Produkte von ON Semiconductor und Transphorm bieten eine zuverlässige, qualifizierte Lösung, mit der Entwickler einen Wirkungsgrad und eine Leistungsdichte erzielen können, die zuvor nicht erreichbar waren. ON Semiconductor kennt die Vorteile der GaN-Technologie für den Markt der Leistungselektronik, und wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit einem anerkannten und bewährten Partner auf diesem Gebiet, um unsere eigene GaN-Entwicklung voranzutreiben“, erklärte Bill Hall, Executive Vice President und General Manager der Standard Products Group bei ON Semiconductor. „Diese neue Partnerschaft vereint unsere Leistungselektronik-Lösungen mit Transphorms GaN-Know-how. Zusammen können wir damit weiteres Kundenvertrauen für diese neue Technologie gewinnen und die Marktakzeptanz ausbauen.“ Die Zusammenarbeit mit einem führenden Halbleiterhersteller wie ON Semiconductor bestätigt Transphorms führende Position im GaN-Bereich und bietet Kunden ein breiteres Angebot an GaN-basierten Produkten und Lösungen“, so Fumihide Esaka, CEO bei Transphorm. „Diese Partnerschaft ist nicht nur für eine schnellere Umsetzung der GaN-Technologie im Markt wichtig, sondern für die gesamte Leistungselektronikbranche von hoher Bedeutung.“ Die ersten gemeinsam entwickelten Lösungen basieren auf 600V-GaN-Transistoren und werden gegen Ende 2014 als Muster zur Verfügung stehen. Sie eignen sich für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte, z.B. für kompakte Stromversorgungen mit 200 bis 1000 W Leistung und für Adapter in den Märkten Telekommunikation und Server. Gemäß den Bedingungen dieser Partnerschaft zählen zu den gemeinsam entwickelten Transistoren auch Low-Voltage Silizium-MOSFETs von ON Semiconductor für den kaskodierten Switch, sowie High-Voltage GaN High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMT) von Transphorm. Die Verpackung, Montage und der Test der Bausteine erfolgen in ON Semiconductors Fertigungsstätten. Leistungselektronik-Referenzdesigns vereinfachen die Anwendung neuer Lösungen mit GaN-basierten Transistoren und den hochleistungsfähigen AC/DC-Controllern, die erforderlich sind, um alle Vorteile der GaN-basierten Bausteine zu nutzen.