Infineon im Samsung Galaxy S5

Infineon Bauteile:

• LTE LNA (Low Noise Amplifier): BGA7L1N6 BGA7M1N6 BGA7H1N6
• Quad-band LTE LNA bank: BGM7MLLM4L12 BGM7LLHM4L12
• GPS LNA: BGA824N6S
• SPDT RF Switches: BGS12PL6 BGS12SL6

Bei den LTE-Signalverstärkern (Low Noise Amplifier, LNA), Vierfach-LNA-Bänken, dem GPS-LNA sowie SPDT RF Switches entschied sich Samsung für die Produkte des deutschen Halbleiterherstellers. „Im Smartphone-Markt herrscht eine außergewöhnlich hohe Innovationsgeschwindigkeit. Erfolgreich ist, wer binnen kürzester Zeit neue Produktgenerationen auf den Markt bringt, die mehr Funktionen integrieren und weniger Platz benötigen. Wir sind stolz darauf, dass führende Anbieter wie Samsung auf uns vertrauen, um ihren Kunden stabile Verbindungen und vielfältige Funktionen bieten zu können“ , sagte Philipp von Schierstaedt, Leiter des Geschäftsfeldes RF & Protection Devices bei Infineon Technologies. Das S5 ist das neuste Model der erfolgreichen Smartphone-Reihe von Samsung. Es verfügt über zwei interne WLAN-Antennen und einen Download Booster, der durch die Kombination von LTE und WLAN herausragende Übertragungsraten erzielt. Mehr als 11 Millionen Stück des Android-basierten Telefons wurden allein im ersten Monat nach Veröffentlichung verkauft.