Als erstes Unternehmen weltweit hat der LED-Hersteller eine Technologie entwickelt, die es erlaubt, GaN (Gallium Nitrite) auf Silizium Wafern fertigen zu können und die Herstellung von GaN auf Silizium LED Chips zur Serienreife gebracht. Die großen 6“ Wafer erlauben eine sehr hohe Ausbeute gegenüber der gängigen 2“ – 4“ SiC oder Saphir Wafern, bei gleichzeitig deutlich geringeren Produktionskosten im Vergleich zur Verwendung von Saphir oder Siliziumcarbid als Trägermaterial.

Ebenso verfügt der Halbleiterhersteller über das Know-how, das Substrat als hauchdünne Schicht mit rund 2.5µm Dicke zu fertigen. Schwierigkeiten, wie unterschiedliche thermische Koeffizienten oder kristallographische Unterschiede der beiden Materialien, wurden in der Fertigung perfektioniert und verhindern ein Brechen oder Biegen der Wafer. Besonders hervorzuheben sind der günstige Fertigungsprozess und die Möglichkeit sowohl die Chips in den Größen 180x180 – 3000x3000µm als auch gängige Packages von 1005 – 5630 in den Farben Blau und Weiß fertigen zu können.

“Wir freuen uns, die Partnerschaft mit dem 1917 in Plymouth (UK) gegründeten Unternehmen mit lokaler Fertigung bekannt zu geben”, sagt Sven Krumpel, CEO der Codico GmbH. "Ein erprobter und kostengünstiger Produktionsprozess auf Silizium Wafern sowie eine flexible und schnelle Produktion bringen unseren Kunden erhebliche Vorteile im LED Bereich."