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© stanisa martinovic dreamstime.com Markt | 28 Mai 2014

Plessey baut Produktion weiter aus

Plessey Semiconductor Ltd. hat eine weitere CRIUS II-XL MOCVD-Anlage zur Herstellung von Galliumnitrid-LEDs auf Siliziumwafern (GaN-auf-Si) erworben.
Damit baut das Unternehmen seine ProduktionskapazitĂ€ten in diesem Bereich weiter aus. Die kĂŒrzlich gelieferte Close Coupled Showerhead-Anlage mit einer 7x6-Zoll-Konfiguration ergĂ€nzt eine bestehende Produktionsanlage von Aixtron.

Dr. Keith Strickland, Chief Technology Officer von Plessey, sagt: „Insbesondere die EinfĂŒhrung unseres LED-Produkts MaGICTM (Manufactured on GaN-on-Si I/C) hat sich im vergangenen Jahr als sehr erfolgreich erwiesen, so dass wir nun die Produktion erheblich ausweiten möchten. Dank der sehr guten Erfahrungen mit der CRIUS II-XL von Aixtron haben wir zu diesem Zweck nun eine weitere Anlage dieses Typs erworben und setzen damit die erfolgreiche Zusammenarbeit mit Aixtron fort.“

„Die CRIUS II-XL ĂŒberzeugt durch hohen Durchsatz und niedrige Betriebskosten fĂŒr GaN-Schichtenwachstum auf 6- Zoll-Siliziumsubstraten. DarĂŒber hinaus unterstĂŒtzt uns Aixtron aktiv bei der weiteren Optimierung unserer Produktionsprozesse“, fĂŒgt Mike Snaith, Operations Director bei Plessey, hinzu.

„Wir freuen uns sehr ĂŒber die erneute Bestellung von Plessey“, sagt Dr. Frank Schulte, Vice President Aixtron Europe. „Sie bestĂ€tigt einmal mehr, dass sich Galliumnitrid-auf-Silizium als leistungsfĂ€higes und effizientes Epitaxie-Verfahren zunehmend als Alternative zum Wachstum auf Saphirsubstraten anbietet. Die somit möglichen Kostensenkungen in der Herstellung werden die Etablierung der LED als Lichtquelle weiter fördern. Aixtron ist fĂŒr diese Marktentwicklung gut gerĂŒstet und wird Plessey auch bei der weiteren Optimierung der GaN-auf-Silizium-Technologie unterstĂŒtzen.“
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2018.11.11 12:47 V11.8.0-2