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© Toshiba Markt | 15 Mai 2014

Toshiba ersetzt Fab 2 bei Yokkaichi Japan

Die Toshiba Corporation gibt bekannt, dass sie die Halbleiterfertigungsanlage Nr. 2 (Fab 2) bei Yokkaichi Operations, dem NAND-Flash-Speicherwerk des Unternehmens in der japanischen Präfektur Mie, abreißen und durch eine neue Fertigungsanlage am selben Standort ersetzen wird.
Toshiba unterzeichnete darüber hinaus eine unverbindliche Absichtserklärung mit der SanDisk Corporation über die gemeinsame Investition in die neue Anlage. Die neue Wafer-Fertigungsanlage dient hauptsächlich der Sicherung von Flächen für die Umstellung der bestehenden 2D-NAND-Kapazitäten von Toshiba und SanDisk auf 3D NAND Anfang 2016.

Die Abrissarbeiten an der derzeitigen Fab 2 werden im Mai beginnen. Der Baubeginn ist für September 2014 vorgesehen und die Fertigstellung ist für Sommer 2015 geplant. Der Reinraum in der neuen Fertigungsanlage wird in Phasen gebaut, um die Investition in den Reinraum an den Zeitplan der Umstellung von der 2D-NAND-Kapazität auf 3D NAND anzupassen. Der Bau des anfänglichen Reinraums wird rechtzeitig zum Produktionsbeginn 2016 fertiggestellt. Entscheidungen hinsichtlich der Vorbereitungszeit für die Kapazitätsumstellung und Maschineninvestitionen, des Produktionsstarts und des Produktionsumfangs in der neuen Produktionsanlage werden die Tendenzen am Markt widerspiegeln.

Die neue Produktionsanlage wird zusätzliche Einrichtungen für Prozesse enthalten, die hauptsächlich auf die Produktion von 3D-NAND-Speichern gerichtet sind, und es wird hier eng mit den anderen Einrichtungen von Yokkaichi zusammengearbeitet werden. Toshiba und SanDisk werden die Produktion von 3D-Speichern durch hochmoderne Fertigungsanlagen für Lithografie, Abscheidung und Ätzen durch Joint Ventures unterstützen.

Yasuo Naruke, Corporate Senior Vice President der Toshiba Corporation und President und CEO der Semiconductor & Storage Products Company, sagte: "Unsere Absicht, fortschrittliche Technologien zu entwickeln, unterstreicht unsere Selbstverpflichtung, auf die anhaltende Nachfrage nach NAND-Flash-Speichern zu reagieren. Wir sind davon überzeugt, dass uns unser Joint Venture mit SanDisk ermöglichen wird, in der Yokkaichi-Anlage kosteneffektive und somit wettbewerbsfähige Speicher der nächsten Generation zu produzieren."

Sanjay Mehrotra, President und Chief Executive Officer von SanDisk, sagte: "Wir freuen uns darauf, unsere langjährige Zusammenarbeit mit Toshiba in dieser neuen Wafer-Produktionsanlage fortzusetzen. Dadurch werden wir unsere Vorreiterrolle im Bereich der Speichertechnologie auch in der 3D-NAND-Ära weiter ausbauen können."
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