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© Toshiba Markt | 15 Mai 2014

Toshiba ersetzt Fab 2 bei Yokkaichi Japan

Die Toshiba Corporation gibt bekannt, dass sie die Halbleiterfertigungsanlage Nr. 2 (Fab 2) bei Yokkaichi Operations, dem NAND-Flash-Speicherwerk des Unternehmens in der japanischen PrĂ€fektur Mie, abreißen und durch eine neue Fertigungsanlage am selben Standort ersetzen wird.
Toshiba unterzeichnete darĂŒber hinaus eine unverbindliche AbsichtserklĂ€rung mit der SanDisk Corporation ĂŒber die gemeinsame Investition in die neue Anlage. Die neue Wafer-Fertigungsanlage dient hauptsĂ€chlich der Sicherung von FlĂ€chen fĂŒr die Umstellung der bestehenden 2D-NAND-KapazitĂ€ten von Toshiba und SanDisk auf 3D NAND Anfang 2016.

Die Abrissarbeiten an der derzeitigen Fab 2 werden im Mai beginnen. Der Baubeginn ist fĂŒr September 2014 vorgesehen und die Fertigstellung ist fĂŒr Sommer 2015 geplant. Der Reinraum in der neuen Fertigungsanlage wird in Phasen gebaut, um die Investition in den Reinraum an den Zeitplan der Umstellung von der 2D-NAND-KapazitĂ€t auf 3D NAND anzupassen. Der Bau des anfĂ€nglichen Reinraums wird rechtzeitig zum Produktionsbeginn 2016 fertiggestellt. Entscheidungen hinsichtlich der Vorbereitungszeit fĂŒr die KapazitĂ€tsumstellung und Maschineninvestitionen, des Produktionsstarts und des Produktionsumfangs in der neuen Produktionsanlage werden die Tendenzen am Markt widerspiegeln.

Die neue Produktionsanlage wird zusĂ€tzliche Einrichtungen fĂŒr Prozesse enthalten, die hauptsĂ€chlich auf die Produktion von 3D-NAND-Speichern gerichtet sind, und es wird hier eng mit den anderen Einrichtungen von Yokkaichi zusammengearbeitet werden. Toshiba und SanDisk werden die Produktion von 3D-Speichern durch hochmoderne Fertigungsanlagen fĂŒr Lithografie, Abscheidung und Ätzen durch Joint Ventures unterstĂŒtzen.

Yasuo Naruke, Corporate Senior Vice President der Toshiba Corporation und President und CEO der Semiconductor & Storage Products Company, sagte: "Unsere Absicht, fortschrittliche Technologien zu entwickeln, unterstreicht unsere Selbstverpflichtung, auf die anhaltende Nachfrage nach NAND-Flash-Speichern zu reagieren. Wir sind davon ĂŒberzeugt, dass uns unser Joint Venture mit SanDisk ermöglichen wird, in der Yokkaichi-Anlage kosteneffektive und somit wettbewerbsfĂ€hige Speicher der nĂ€chsten Generation zu produzieren."

Sanjay Mehrotra, President und Chief Executive Officer von SanDisk, sagte: "Wir freuen uns darauf, unsere langjĂ€hrige Zusammenarbeit mit Toshiba in dieser neuen Wafer-Produktionsanlage fortzusetzen. Dadurch werden wir unsere Vorreiterrolle im Bereich der Speichertechnologie auch in der 3D-NAND-Ära weiter ausbauen können."
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