700-W-L-Band-Transistor von Infineon

Die Infineon Technologies AG stellt einen neuen 700-W-Leistungstransistor für das L-Band vor. Der HF-Transistor bietet die industrieweit höchste Ausgangsleistung für Radarsysteme, die im Frequenzbereich von 1200 bis 1400 MHz arbeiten und üblicherweise in der Flugverkehrsüberwachung und Wetterbeobachtung eingesetzt werden. Da mit dem neuen Transistor weniger Bauteile für das Design benötigt werden, können die Gesamtkosten des Systems reduziert und gleichzeitig die Zuverlässigkeit bzw. Robustheit erhöht werden. Radarsysteme senden einen elektronischen Hochleistungs-Impuls in einem spezifischen Frequenzbereich aus und erfassen das Echo für diese Impulse. Daraus wird ein Abbild von entfernten Objekten gebildet. Für diese anspruchsvolle Applikationen müssen die in der Stromversorgung der pulsierenden Systeme eingesetzten Transistoren höchst effizient sein und ein stabiles Signal liefern können, und das unter allen Betriebsbedingungen. Der neue Leistungstransistor PTVA127002EV von Infineon ist ideal für Radarsysteme, die im L-Band im Frequenzbereich von 1200 bis 1400 MHz arbeiten. Die hohe Effizienz geht mit einer geringen Wärmeabstrahlung und einer hohen Robustheit (der Transistor ist unempfindlich gegenüber einem Stehwellenverhältnis (VSWR) von 10:1) einher. Die 700-W-Ausgangsleisung sorgt dafür, dass weniger Komponenten für das System benötigt werden. Auf Basis der 50-V-LDMOS-Leistungstransistor-Technologie von Infineon bietet der PTVA127002EV einen ausgezeichneten Wirkungsgrad mit typisch 55 Prozent über das L-Band (1200 bis 1400 MHz), mit einer P1dB-Ausgangsleistung von 700 W, einer Verstärkung von 16 dB und geringem thermischen Widerstand – gemessen bei einer Pulsbreite von 300 µs (10 Prozent Tastverhältnis). Mit dieser neuesten Portfolio-Erweiterung bietet Infineon nun HF-Leistungstran-sistoren im Bereich von 1200 bis 1400 MHz für Systeme mit Ausgangsleistungen von 25 W, 50 W, 350 W und 700 W. Neben der hohen Robustheit weisen alle Bausteine auch einen weiten Gate-Source-Spannungsbereich von -6 V bis 12 V sowie einen integrierten Schutz gegenüber elektrostatischen Entladungen (ESD) auf. Verfügbarkeit Entwicklungsmuster des neuen HF-Transistors und ein Evaluierungs-Board stehen ab sofort zur Verfügung.