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© Infineon Komponenten | 24 MĂ€rz 2014

700-W-L-Band-Transistor von Infineon

Neuer 700-W-L-Band-Transistor von Infineon reduziert Bauteilkosten und erhöht Robustheit sowie ZuverlÀssigkeit von Radarsystemen.
Das ist eine ProduktankĂŒndigung von Infineon. Allein der Emittent ist fĂŒr den Inhalt verantwortlich.
Die Infineon Technologies AG stellt einen neuen 700-W-Leistungstransistor fĂŒr das L-Band vor. Der HF-Transistor bietet die industrieweit höchste Ausgangsleistung fĂŒr Radarsysteme, die im Frequenzbereich von 1200 bis 1400 MHz arbeiten und ĂŒblicherweise in der FlugverkehrsĂŒberwachung und Wetterbeobachtung eingesetzt werden. Da mit dem neuen Transistor weniger Bauteile fĂŒr das Design benötigt werden, können die Gesamtkosten des Systems reduziert und gleichzeitig die ZuverlĂ€ssigkeit bzw. Robustheit erhöht werden. Radarsysteme senden einen elektronischen Hochleistungs-Impuls in einem spezifischen Frequenzbereich aus und erfassen das Echo fĂŒr diese Impulse. Daraus wird ein Abbild von entfernten Objekten gebildet. FĂŒr diese anspruchsvolle Applikationen mĂŒssen die in der Stromversorgung der pulsierenden Systeme eingesetzten Transistoren höchst effizient sein und ein stabiles Signal liefern können, und das unter allen Betriebsbedingungen. Der neue Leistungstransistor PTVA127002EV von Infineon ist ideal fĂŒr Radarsysteme, die im L-Band im Frequenzbereich von 1200 bis 1400 MHz arbeiten. Die hohe Effizienz geht mit einer geringen WĂ€rmeabstrahlung und einer hohen Robustheit (der Transistor ist unempfindlich gegenĂŒber einem StehwellenverhĂ€ltnis (VSWR) von 10:1) einher. Die 700-W-Ausgangsleisung sorgt dafĂŒr, dass weniger Komponenten fĂŒr das System benötigt werden. Auf Basis der 50-V-LDMOS-Leistungstransistor-Technologie von Infineon bietet der PTVA127002EV einen ausgezeichneten Wirkungsgrad mit typisch 55 Prozent ĂŒber das L-Band (1200 bis 1400 MHz), mit einer P1dB-Ausgangsleistung von 700 W, einer VerstĂ€rkung von 16 dB und geringem thermischen Widerstand – gemessen bei einer Pulsbreite von 300 ”s (10 Prozent TastverhĂ€ltnis). Mit dieser neuesten Portfolio-Erweiterung bietet Infineon nun HF-Leistungstran-sistoren im Bereich von 1200 bis 1400 MHz fĂŒr Systeme mit Ausgangsleistungen von 25 W, 50 W, 350 W und 700 W. Neben der hohen Robustheit weisen alle Bausteine auch einen weiten Gate-Source-Spannungsbereich von -6 V bis 12 V sowie einen integrierten Schutz gegenĂŒber elektrostatischen Entladungen (ESD) auf. VerfĂŒgbarkeit Entwicklungsmuster des neuen HF-Transistors und ein Evaluierungs-Board stehen ab sofort zur VerfĂŒgung.
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