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© lcro77 dreamstime.com Komponenten | 02 September 2013

Air Water entwickelt mit Aixtron Anlage

Die Air Water Inc. in Azumino, Japan, hat einen voll automatisierten 8x6-Zoll AIX G5 HT-Planetenreaktor zur Entwicklung von Galliumnitrid (GaN)-basierten Epitaxieschichten installiert.

Die Fähigkeit der Aixtron Anlage, Materialien von überragender Homogenität zu liefern, sei ein entscheidendes Kriterium für die Bestellung gewesen, so der japanische Hersteller, der damit die Vorzüge seiner eigenentwickelten Substrate für die GaN-Epitaxie optimal nutzen kann. Noch in diesem Jahr will Air Water Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid (GaN-auf-SiC) auf Siliziumsubstraten anbieten und die Produktivität der Aixtron Anlage vollständig ausschöpfen. Darüber hinaus gibt es Überlegungen, die Anlage mit der AIX G5+-Technologie für bis zu 5x200 mm (8-Zoll) Siliziumsubstrate zu erweitern, um auch künftige Marktanforderungen abdecken zu können. Im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumsubstraten dient die zusätzliche Siliziumkarbidschicht als Schutzschicht des Siliziumsubstrats im GaN-Epitaxieprozess. Aufgrund seiner Kristallstruktur eignet sich Siliziumkarbid besonders für den GaN-Anwachsprozess. Die auf diese Weise entwickelten großflächigen GaN-Schichtstrukturen sind von hoher kristalliner Qualität und dürften zahlreiche LED-Anwendungen wie auch die Leistungselektronik effizienter und erschwinglicher machen.
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2019.11.12 07:31 V14.7.10-1