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© lcro77 dreamstime.com Komponenten | 02 September 2013

Air Water entwickelt mit Aixtron Anlage

Die Air Water Inc. in Azumino, Japan, hat einen voll automatisierten 8x6-Zoll AIX G5 HT-Planetenreaktor zur Entwicklung von Galliumnitrid (GaN)-basierten Epitaxieschichten installiert.
Die FĂ€higkeit der Aixtron Anlage, Materialien von ĂŒberragender HomogenitĂ€t zu liefern, sei ein entscheidendes Kriterium fĂŒr die Bestellung gewesen, so der japanische Hersteller, der damit die VorzĂŒge seiner eigenentwickelten Substrate fĂŒr die GaN-Epitaxie optimal nutzen kann.

Noch in diesem Jahr will Air Water Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid (GaN-auf-SiC) auf Siliziumsubstraten anbieten und die ProduktivitĂ€t der Aixtron Anlage vollstĂ€ndig ausschöpfen. DarĂŒber hinaus gibt es Überlegungen, die Anlage mit der AIX G5+-Technologie fĂŒr bis zu 5x200 mm (8-Zoll) Siliziumsubstrate zu erweitern, um auch kĂŒnftige Marktanforderungen abdecken zu können.

Im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumsubstraten dient die zusĂ€tzliche Siliziumkarbidschicht als Schutzschicht des Siliziumsubstrats im GaN-Epitaxieprozess. Aufgrund seiner Kristallstruktur eignet sich Siliziumkarbid besonders fĂŒr den GaN-Anwachsprozess. Die auf diese Weise entwickelten großflĂ€chigen GaN-Schichtstrukturen sind von hoher kristalliner QualitĂ€t und dĂŒrften zahlreiche LED-Anwendungen wie auch die Leistungselektronik effizienter und erschwinglicher machen.
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2019.01.17 14:20 V11.11.0-1