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Komponenten | 13 Dezember 2006

MRAM-Speicher bieten viele Vorteile

Magneto-resistive Random Access Memory (MRAM) ist eine revolutionĂ€re Speichertechnologie, die zukĂŒnftig viele der aktuellen Halbleiter-Speichertechnologien ersetzen kann. MRAM kombiniert die Geschwindigkeit von eSRAM und die NichtflĂŒchtigkeit von Flash-Speichern auf einem einzigen Chip.
Statt einer elektrischen Ladung nutzt MRAM magnetische Polarisation, um die binĂ€re Information 0 oder 1 eines Speicher-Bits zu definieren. Somit kann eine einzige Speicherlösung mehrere Speicheroptionen auf einem Chip ersetzen und ermöglicht so schnellere und kostengĂŒnstigere Lösungen fĂŒr speicherintensive Next-Generation-Produkte.
MRAM ist eine nichtflĂŒchtige Speichertechnologie, bei der alle gespeicherten Daten auch bei Spannungsverlust erhalten bleiben, und eine regelmĂ€ĂŸige Aktualisierung nicht mehr nötig ist.
Spoerle bietet mit dem MR2A16A von Freescale nun den ersten kommerziell erhĂ€ltlichen MRAM-Baustein in Serienfertigung an. Der Speicherbaustein basiert auf magnetischen Werkstoffen, die mit herkömmlichen Siliziumschaltungen kombiniert werden. Auf diese Weise lĂ€sst sich auf nur einem Chip ein Baustein realisieren, der so schnell ist wie SRAMs und gleichzeitig die NichtflĂŒchtigkeit von Flash-Speichern besitzt. Die zu einem Standard-SRAM kompatible Pinanordnung gewĂ€hrleistet maximale FlexibilitĂ€t in der Entwicklung und vermeidet Buskonflikte. Der MRAM eignet sich fĂŒr unterschiedlichste Anwendungen und ist eine zuverlĂ€ssige und wirtschaftliche Single-Chip-Alternative zu SRAMs mit Batteriepuffern.
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2018.12.12 02:03 V11.10.8-2