Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Komponenten | 05 Dezember 2006

Infineon erzielt technologischen Durchbruch bei Multi-Gate Technologie

Der Multi-Gate-Feldeffekt-Transistor könnte viele Probleme auf dem Weg zu noch kleineren integrierten Schaltungen lösen, die bei gleicher FunktionalitĂ€t mit wesentlich weniger Strom auskommen, als heute verfĂŒgbare planare Standard-Technologien.
Forscher von Infineon haben die neue Transistorarchitektur in 65nm StrukturgrĂ¶ĂŸe jetzt als weltweit erste mit komplexen Schaltungen getestet. Bei rund 30 Prozent kleinerem FlĂ€chenbedarf als bei heutigen Single-Gate-Schaltungen mit gleicher Funktion und Geschwindigkeit wurden dabei Ruheströme gemessen, die um mehr als den Faktor 10 kleiner waren. Nach Berechnungen der Forscher verdoppelt sich dadurch die Energieeffizienz und Batterielaufzeit von portablen GerĂ€ten im Vergleich zu den gerade aktuellen 65nm Technologien. FĂŒr zukĂŒnftige Technologiegenerationen (32nm, 22nm) wird dieser Wert noch signifikant zunehmen. „Mit der weltweit ersten integrierten Schaltung in Multi-Gate-Technologie mit 65nm Strukturgrösse haben wir bewiesen, dass der Fortschritt in der Halbleiterindustrie nicht nur durch das kontinuierliche Verkleinern von Strukturen zu bewĂ€ltigen ist“, sagte Prof. Dr. Hermann Eul, Mitglied des Infineon-Vorstands und Leiter des GeschĂ€ftsbereichs Communication Solutions. Die von den Infineon-Forschern getesteten 65nm-Schaltungen enthalten ĂŒber 3.000 aktive Transistoren in der dreidimensionalen Multi-Gate-Technologie. Die Ergebnisse belegen, dass sie genauso leistungsfĂ€hig wie heutige ausgereifte Technologien ist, aber bei gleicher FunktionalitĂ€t gut nur die HĂ€lfte an Energie braucht. Ein Vorteil, der auf der Basis der bisherigen Erkenntnisse in zukĂŒnftigen Technologiegenerationen noch sehr viel stĂ€rker ausfallen wird. Die Forscher von Infineon sind dabei neue Wege gegangen: Sie haben die seit 50 Jahren ĂŒbliche flache oder auch planare Anordnung der Transistor Architektur zu einem dreidimensionalen Gebilde geformt. Die dritte Dimension ist hier der SchlĂŒssel zum Erfolg, der steuernde Kontakt des Transistors umschließt die Potentialbarriere der Sperrschicht nun von mehreren Seiten („Multi-Gate“) und bietet somit eine um den Faktor 3 grĂ¶ĂŸere AngriffsflĂ€che, um den Transistor effektiv auszuschalten. Der Bau von Schaltungen in einer Multi-Gate-Technologie kann sowohl auf Standard Silizium Substrat oder auf Silizium auf Oxid (SOI) mit den heute herkömmlichen Herstellungsprozessen und den heute ĂŒblichen Werkstoffen erfolgen und ist damit unabhĂ€ngig von kostenintensiven Materialinnovationen. Weiterhin eröffnet sich durch die Nutzung der dritten Dimension ein bemerkenswerter Vorteil: bei gleicher Anzahl der Transistoren auf einem Chip wird die pro Transistor aktiv genutzte Silizium-FlĂ€che effektiv verkleinert und damit Silizium eingespart. Das neue Herstellungsverfahren wird von Infineon im Rahmen seiner Beteiligung am europĂ€ischen Forschungszentrum IMEC (Interuniversity Micro Electronics Center, Leuven, Belgien) noch weiter erforscht und könnte in fĂŒnf bis sechs Jahren als Basistechnologie fĂŒr die Serienfertigung zum Einsatz kommen.
Anzeige
Anzeige
Weitere Nachrichten
2019.02.15 09:57 V12.1.1-2