Koreanischer Hersteller qualifiziert Aixtron QXP-8300-Anlage

Damit sei ein weiterer Meilenstein in dieser Technologie erreicht, so Aixtron Chief Operating Officer und Vorstandsmitglied Dr. Bernd Schulte. „Wir freuen uns sehr, dass ein so bedeutender DRAM-Hersteller unsere QXP-8300-Anlage für seine hohen Produktionsanforderungen qualifiziert hat. Die Anlage ist nicht nur führend im Hinblick auf Produktivität – auch die Tatsache, dass der Kunde die Anlage in nur drei Monaten qualifiziert hat, zeigt, dass wir anspruchsvollste Produktionsanlaufphasen in kürzester Zeit umsetzen können." „Das Interesse an unserer Siliziumtechnologie ist seit der Markteinführung der QXP-8300 deutlich gestiegen”, resümiert Dr. Sasangan Ramanathan, Chief Technical Officer bei Aixtron Inc. „Wir gehen davon aus, dass mit dieser Anlage weitere erhebliche Wachstumspotenziale im Bereich der ALD-Technologie möglich sind, mit der hohe Durchsatzraten erreicht werden." Die Atomlagenabscheidung (ALD, engl. “Atomic Layer Deposition”) ermöglicht die Herstellung hauchdünner Schichten für Halbleiter- und völlig neue Nicht-Halbleiter-Anwendungen. Die Aixtron Anlage zeichnet sich durch hervorragende Homogenität der Schichten, ihre Reproduzierbarkeitsrate und hohen Durchsatz aus. Aixtron hatte die Bestellung aus Korea über mehrere QXP-8300 ALD-Anlagen im Juli diesen Jahres bekannt gegeben.