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© jultud dreamstime.com Komponenten | 11 Dezember 2012

STMicro: Werk Crolles ist für 28nm FD-SOI-Technologie bereit

STMicroelectronics meldet einen weiteren Schritt hin zur VerfĂŒgbarkeit seiner 28 nm FD-SOI-Technologieplattform, die jetzt fĂŒr die Vorproduktion in der 300 mm FertigungsstĂ€tte des Unternehmens in Crolles (Frankreich) bereit ist.
Diese AnkĂŒndigung bestĂ€tigt die FĂ€higkeit, seine vollstĂ€ndig verarmte (‚fully depleted‘) Planartechnologie auf dem 28nm Technologieknoten zu produzieren. Die FD-SOI-Technologieplattform umfasst die VerfĂŒgbarkeit einer vollstĂ€ndig ausgearbeiteten und an realen Halbleiterbausteinen verifizierten Designplattform mit sĂ€mtlichen Basis-Bibliotheken (Standardzellen, Speichergeneratoren, I/Os, AMS-IPs und High-Speed-Interfaces).

„ST blickt auf eine lange Geschichte als Wegbereiter neuer Lösungen im Bereich der Produkte und Technologien zurĂŒck. Durch die Herstellung der Produktionsbereitschaft der FD-SOI-Technologie positioniert sich das Unternehmen erneut als Innovator und Spitzenreiter in der Entwicklung und Produktion von Halbleitertechnologien“, kommentiert Jean-Marc Chery, Executive Vice President, General Manager Digital Sector und Chief Technology and Manufacturing Officer von STMicroelectronics.

„Mithilfe von Wafertests nach erfolgter Verarbeitung konnten wir die signifikanten Performance- und Verlustleistungs-Vorteile der FD-SOI-Technologie gegenĂŒber konventionellen Technologien nachweisen und eine kosteneffektive industrielle Lösung realisieren, die auf dem 28 nm Technologieknoten verfĂŒgbar ist. Messungen an einem Multicore-Subsystem in einer ST-Ericsson NovaThor ModAp-Plattform, die eine Maximalfrequenz von ĂŒber 2,5 GHz erreicht und bei 0,6 V eine Frequenz von 800 MHz unterstĂŒtzt, bestĂ€tigen die Erwartungen. Sie unterstreichen außerdem die hervorragende FlexibilitĂ€t der Technologie und den erweiterten Spannungsbereich, der mithilfe der DVFS-Technik (Dynamic Voltage and Frequency Scaling) ausgeschöpft werden kann.“
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2019.01.17 14:20 V11.11.0-2