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© jultud dreamstime.com Komponenten | 11 Dezember 2012

STMicro: Werk Crolles ist für 28nm FD-SOI-Technologie bereit

STMicroelectronics meldet einen weiteren Schritt hin zur Verfügbarkeit seiner 28 nm FD-SOI-Technologieplattform, die jetzt für die Vorproduktion in der 300 mm Fertigungsstätte des Unternehmens in Crolles (Frankreich) bereit ist.

Diese Ankündigung bestätigt die Fähigkeit, seine vollständig verarmte (‚fully depleted‘) Planartechnologie auf dem 28nm Technologieknoten zu produzieren. Die FD-SOI-Technologieplattform umfasst die Verfügbarkeit einer vollständig ausgearbeiteten und an realen Halbleiterbausteinen verifizierten Designplattform mit sämtlichen Basis-Bibliotheken (Standardzellen, Speichergeneratoren, I/Os, AMS-IPs und High-Speed-Interfaces). „ST blickt auf eine lange Geschichte als Wegbereiter neuer Lösungen im Bereich der Produkte und Technologien zurück. Durch die Herstellung der Produktionsbereitschaft der FD-SOI-Technologie positioniert sich das Unternehmen erneut als Innovator und Spitzenreiter in der Entwicklung und Produktion von Halbleitertechnologien“, kommentiert Jean-Marc Chery, Executive Vice President, General Manager Digital Sector und Chief Technology and Manufacturing Officer von STMicroelectronics. „Mithilfe von Wafertests nach erfolgter Verarbeitung konnten wir die signifikanten Performance- und Verlustleistungs-Vorteile der FD-SOI-Technologie gegenüber konventionellen Technologien nachweisen und eine kosteneffektive industrielle Lösung realisieren, die auf dem 28 nm Technologieknoten verfügbar ist. Messungen an einem Multicore-Subsystem in einer ST-Ericsson NovaThor ModAp-Plattform, die eine Maximalfrequenz von über 2,5 GHz erreicht und bei 0,6 V eine Frequenz von 800 MHz unterstützt, bestätigen die Erwartungen. Sie unterstreichen außerdem die hervorragende Flexibilität der Technologie und den erweiterten Spannungsbereich, der mithilfe der DVFS-Technik (Dynamic Voltage and Frequency Scaling) ausgeschöpft werden kann.“
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2019.06.25 20:13 V13.3.22-1