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© dimitry romanchuck dreamstime.com Komponenten | 06 Dezember 2012

AIXTRON begleitet ersten Schritt in die GaN-basierte Leistungselektronik in China

Der chinesische Hersteller Dynax Semiconductor Inc. hat erstmals eine CRIUS Close Coupled Showerhead (CCS) MOCVD-Anlage von AIXTRON bestellt.

Der chinesische Hersteller Dynax Semiconductor Inc. hat erstmals eine CRIUS Close Coupled Showerhead (CCS) MOCVD-Anlage von AIXTRON bestellt. Damit sollen elektronische Bauelemente auf Basis von Nitrid-Halbleitern hergestellt werden. Es ist die erste Anlage für Anwendungen der GaN-basierten Elektronik in China. Der neue Reaktor wird für die Abscheidung von Galliumnitrid (GaN) und damit verbundenen Nitrid-Halbleiterschichten auf Siliziumkarbid- bzw. Siliziumsubstraten für den Einsatz in Mikrowellen und Hochleistungsbauelementen eingesetzt. Die Anlage wurde bereits installiert und in Betrieb genommen und produziert inzwischen hochwertige GaN-Epiwafer. „Dies ist ein wichtiger Schritt für uns", sagt Dr. NaiQian Zhang, Vorstandsvorsitzender bei Dynax Semiconductors, „denn effiziente Hochleistungsbauteile auf Galliumnitridbasis sind die Schlüsselkomponenten für die nächste Generation von Halbleiterschaltungen – etwa in der Leistungselektronik oder der Datenkommunikation. Mit Hilfe dieser neuartigen Technologie tragen wir zu einer nachhaltigeren Gesellschaft bei." Der AIXTRON Reaktor habe sich für Anwendungen dieser Art vielfach bewährt. „Das technische Team von Dynax hat breite Erfahrung mit unserer CCS-Technologie", so Dr. Frank Wischmeyer, Vice President und Program Manager Power Electronics bei AIXTRON. „Wir freuen uns, den Kunden mit unserer Expertise unterstützen zu können und damit den Einstieg in den Markt für GaN-basierte Leistungsbauelemente in China voranzubringen." Im Vergleich zu konventionellen Silizium-Bauteilen liefern elektronische Bauteile auf GaN-Basis in RF- und Leistungsanwendungen bessere Eigenschaften im Hinblick auf Effizienz und Leistungsdichte. Dabei stellen sich zwei wesentliche Herausforderungen: Aufgrund der hohen Gitterfehlanpassung zwischen GaN und Fremdsubstraten erfordert die Abscheidung von GaN einen speziellen Herstellungsprozess. Trotzdem müssen die Herstellungskosten möglichst niedrig bleiben, um im Vergleich mit Silizium-Bauteilen zu bestehen. Dies gelingt nur mit einer hochmodernen MOCVD-Technologie, die optimale Homogenität und Reproduzierbarkeit liefert. Die 2011 in Suzhou gegründete Dynax Semiconductor Inc. ist das erste Unternehmen in China, das sich auf das Design und die Herstellung GaN-basierter elektronischer Bauteile spezialisiert hat. Der Hersteller hat heute seinen Sitz in Kunshan in der ostchinesischen Provinz Jiangsu und produziert elektronische Bauteile für die Elektronik, Datenkommunikation und Automobilindustrie sowie für Anwendungen zur Motorsteuerung.
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2019.10.11 15:09 V14.5.0-1