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© grzegorz kula dreamstime.com Komponenten | 03 Dezember 2012

Kooperation zw. Carl Zeiss und PTB zur EUV-Lithografie ausgeweitet

Hochpräzise Messungen für die nächste Generation Mikrochips

Der Unternehmensbereich Halbleitertechnik von Carl Zeiss und die Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB) werden auch zukünftig bei der Vermessung von Optiken der EUV-Lithografie (Extreme-Ultraviolett-Lithografie) zusammenarbeiten. Die Kooperation der beiden Institutionen wurde nun um vier Jahre verlängert. Gemeinsam mit dem niederländischen Partner ASML arbeitet Carl Zeiss an der EUV-Lithografie, einer innovativen Technologie zur Erzeugung von Schaltkreisstrukturen auf Wafern bei einer Lichtwellenlänge von 13,5 Nanometern. Bei ASML werden die EUV-Lithografie-Optiken von Carl Zeiss in einen sogenannten Waferscanner integriert. Die PTB unterstützt Carl Zeiss mit hochpräzisen Messungen der EUV-Optiken. Dazu wird ein neues EUV-Strahlrohr am PTB-eigenen Elektronenspeicherring, der sogenannten Metrology Light Source (MLS), genutzt. Die PTB und Carl Zeiss kooperieren bereits seit 1998. Für die Charakterisierung der EUV-Optiken stellt die PTB die erforderlichen Messplätze zur Verfügung. So gibt es zwar weltweit eine Reihe von Elektronenspeicherringen, die moderne MLS der PTB ist jedoch in Deutschland einzigartig und auch international sehr selten. Seit 2008 ist die MLS in Betrieb. Sie liefert Synchrotronstrahlung vom Terahertz- bis hin zum EUV-Bereich. „Unsere große Stärke sind sogenannte At-Wavelength-Messungen. Das kommt bei unseren Kooperationspartnern besonders gut an“, erläutert PTB-Arbeitsgruppenleiter Dr. Frank Scholze. „Wir charakterisieren die Optiken bei der EUV-Arbeitswellenlänge und nicht etwa nur mit sichtbarem Licht. Daher beschreiben unsere Messungen direkt das Verhalten der Optiken in den Produktionsmaschinen.“ Der Start für die Serienproduktion von EUV-Optiken ist für Mitte des Jahrzehnts geplant.
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2019.10.11 15:09 V14.5.0-1