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Showa Denko: Umstellung auf 150mm Siliziumkarbid-Wafer
Der japanische Hersteller Showa Denko mit Sitz in Chichibu erweitert seine Aixtron Anlagenbasis um einen Warmwand-Planetenreaktor für 100mm- bzw. 150mm-Wafer zur Herstellung von Siliziumkarbid (SiC). Mit der neuen CVD-Anlage sollen homoepitaktische SiC-Substrate hergestellt werden.
Der Hersteller will damit die Produktion seiner 100mm-Wafer ausbauen und gleichzeitig den Umstieg auf 150mm SiC-Wafer vollziehen, die immer häufiger auf dem Markt für Halbleitermaterialien angeboten werden. Die Herstellung auf größeren Wafern verspricht Kostensenkungen und breite Marktakzeptanz.
„Unser Ziel bei der Entwicklung dieser Anlage war es, die Wirtschaftlichkeit zu steigern. Das erreichen wir durch die bessere Randausnutzung auf den größeren Wafern und der damit verbundenen höheren Ausbeute pro Chip", erklärt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President und Programm-Manager Leistungselektronik bei Aixtron. „Siliziumkarbid eignet sich aufgrund seiner einzigartigen Eigenschaften besonders für die geplanten Anwendungen – die hohe kritische Feldstärke des Materials etwa ermöglicht hohe Durchbruchspannungen und niedrige Einschaltwiderstände der Bauelemente. Besonders gute Wärmeleitfähigkeit und längere Haltbarkeit bei höherer Betriebstemperatur sind weitere Vorzüge, die Siliziumkarbid für Leistungsanwendungen prädestinieren."
