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Komponenten | 17 Juli 2012

EpiGaN startet erfolgreich auf Aixtron Anlagen

Das belgische Unternehmen EpiGaN mit Sitz in Hasselt, Hersteller von epitaxialen III-Nitrid-Materialien, hat erstmals zwei MOCVD-Anlagen von Aixtron erfolgreich in Betrieb genommen.

Mit den für mehrere 6-Zoll Substrate bzw. einem 8-Zoll Substrat konfigurierbaren Anlagen will der Hersteller zunächst 6-Zoll GaN-auf-Si-Wafer für Bauelemente der Leistungs- und Hochfrequenzelektronik auf den Markt bringen und darüber hinaus die nächste Generation von 200 mm GaN-auf-Si-Wafern entwickeln. Ein Serviceteam von Aixtron Europa hat die Anlagen in einer eigens für diesen Zweck gebauten Produktionsstätte auf dem Forschungs-Campus im belgischen Hasselt installiert und in Betrieb genommen. "EpiGaN ist ein Spin-off des weltweit renommierten Forschungsinstituts IMEC. Nach Abschluss der Finanzierungsrunde konnte die strategische Planung unserer Produktionskapazitäten erfolgen“, erklärt Dr. Marianne Germain, CEO von EpiGaN. "Mit Aixtron verbindet uns eine über viele Jahre erfolgreiche Kooperation auf dem Gebiet GaN-auf-Si – wir haben die CCS-Technologie schon zu IMEC-Zeiten eingesetzt und gemeinsam zahlreiche Publikationen zu diesem Thema veröffentlicht. Daher waren wir sicher, dass sich die Close Coupled Showerhead (CCS)-Technologie für unsere Anforderungen optimal eignet.“ Angesichts der Herausforderungen bei der Herstellung von 200 mm GaN-auf-Si-Bauelementen für Hochspannungsanwendungen setze man auf die Kombination aus EpiGaNs langjähriger Expertise und Aixtrons fortschrittlicher Prozess- und Anlagentechnologie. „Wir sind zuversichtlich, dass wir alle Ziele schnell und effizient erreichen werden.“ „EpiGaN ist eine der Firmenneugründungen mit dem größten Potenzial in Europa“, sagt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President und Programm-Manager Leistungselektronik bei der Aixtron SE. „Wir freuen uns daher sehr über den neuen Auftrag. Im Rahmen der Zusammenarbeit werden sich Anlagen, Prozesse und Materialien für großflächige GaN-auf-Si-Wafer weiterentwickeln.“ Seit seiner Gründung 2010 liefert EpiGaN Herstellern von Bauelementen eine einzigartige, bewährte Technologie für unterschiedliche Marktsegmente, z.B. Stromversorgungen für die Unterhaltungselektronik, Hybrid-Elektrofahrzeuge, Inverter für Solarmodule, HF-Konverter in Basisstationen oder Smart Grid-Anwendungen. Das Unternehmen beteiligt sich auch an dem EU-Projekt HiPoSwitch, das sich zum Ziel gesetzt hat, neue kompaktere Energiekonverter mit höherer Leistungsfähigkeit zu entwickeln.
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2019.09.18 10:52 V14.4.0-1