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Komponenten | 17 Juli 2012

EpiGaN startet erfolgreich auf Aixtron Anlagen

Das belgische Unternehmen EpiGaN mit Sitz in Hasselt, Hersteller von epitaxialen III-Nitrid-Materialien, hat erstmals zwei MOCVD-Anlagen von Aixtron erfolgreich in Betrieb genommen.
Mit den fĂŒr mehrere 6-Zoll Substrate bzw. einem 8-Zoll Substrat konfigurierbaren Anlagen will der Hersteller zunĂ€chst 6-Zoll GaN-auf-Si-Wafer fĂŒr Bauelemente der Leistungs- und Hochfrequenzelektronik auf den Markt bringen und darĂŒber hinaus die nĂ€chste Generation von 200 mm GaN-auf-Si-Wafern entwickeln. Ein Serviceteam von Aixtron Europa hat die Anlagen in einer eigens fĂŒr diesen Zweck gebauten ProduktionsstĂ€tte auf dem Forschungs-Campus im belgischen Hasselt installiert und in Betrieb genommen. "EpiGaN ist ein Spin-off des weltweit renommierten Forschungsinstituts IMEC. Nach Abschluss der Finanzierungsrunde konnte die strategische Planung unserer ProduktionskapazitĂ€ten erfolgen“, erklĂ€rt Dr. Marianne Germain, CEO von EpiGaN. "Mit Aixtron verbindet uns eine ĂŒber viele Jahre erfolgreiche Kooperation auf dem Gebiet GaN-auf-Si – wir haben die CCS-Technologie schon zu IMEC-Zeiten eingesetzt und gemeinsam zahlreiche Publikationen zu diesem Thema veröffentlicht. Daher waren wir sicher, dass sich die Close Coupled Showerhead (CCS)-Technologie fĂŒr unsere Anforderungen optimal eignet.“ Angesichts der Herausforderungen bei der Herstellung von 200 mm GaN-auf-Si-Bauelementen fĂŒr Hochspannungsanwendungen setze man auf die Kombination aus EpiGaNs langjĂ€hriger Expertise und Aixtrons fortschrittlicher Prozess- und Anlagentechnologie. „Wir sind zuversichtlich, dass wir alle Ziele schnell und effizient erreichen werden.“ „EpiGaN ist eine der FirmenneugrĂŒndungen mit dem grĂ¶ĂŸten Potenzial in Europa“, sagt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President und Programm-Manager Leistungselektronik bei der Aixtron SE. „Wir freuen uns daher sehr ĂŒber den neuen Auftrag. Im Rahmen der Zusammenarbeit werden sich Anlagen, Prozesse und Materialien fĂŒr großflĂ€chige GaN-auf-Si-Wafer weiterentwickeln.“ Seit seiner GrĂŒndung 2010 liefert EpiGaN Herstellern von Bauelementen eine einzigartige, bewĂ€hrte Technologie fĂŒr unterschiedliche Marktsegmente, z.B. Stromversorgungen fĂŒr die Unterhaltungselektronik, Hybrid-Elektrofahrzeuge, Inverter fĂŒr Solarmodule, HF-Konverter in Basisstationen oder Smart Grid-Anwendungen. Das Unternehmen beteiligt sich auch an dem EU-Projekt HiPoSwitch, das sich zum Ziel gesetzt hat, neue kompaktere Energiekonverter mit höherer LeistungsfĂ€higkeit zu entwickeln.
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