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Komponenten | 26 Oktober 2011

Infineon entwickelt mit Aixtron G5-Anlage

Mit der erfolgreichen Abnahme einer 8x6-Zoll AIX G5 HT MOCVD-Anlage im September 2011 hat Aixtron Kunde Infineon Technologies das erste Planungsziel bei der Entwicklung seiner GaN-auf-Si HEMTs erreicht. Die neue Anlage ist zusätzlich für die Herstellung von 5x8-Zoll-Wafern optimiert.

„Wir werden unsere Aktivitäten im Bereich GaN-auf-Si-Technologie verstärken. Unser Anspruch ist es, äußerst zuverlässige Bauteile von herausragender Qualität und Leistungsfähigkeit anbieten zu können", erklärt Dr. Franz Auerbach, Senior Director R&D für Power Management & Supply Discretes bei Infineon Technologies. „Wir wollen auch künftig führend im Bereich Umrichtungstechnologie sein und unseren Kunden dabei helfen, Energieverluste zu minimieren. Der Support von Aixtron war hervorragend." Aixtron COO Dr. Bernd Schulte fügt hinzu: „Der Absatzmarkt für Komponenten der Leistungselektronik hat ein neues Niveau erreicht. Gefordert sind leistungsfähige und gleichzeitig kosteneffiziente Bauteile – Kriterien, die sich nicht immer ohne Weiteres miteinander vereinbaren lassen und daher nur mit einer überlegenen Prozesstechnologie umsetzbar sind. Es freut uns daher sehr, dass dieser renommierte Kunde alle Vorteile unserer fortschrittlichen G5-Technologie ausschöpfen wird."
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