STMicroelectronics setzt auf Through-Silicon Vias

Die TSV-Technik ersetzt die traditionelle Verdrahtung in den Multi-Chip-MEMS-Bausteinen von ST (z.B. intelligente Sensoren oder mehrachsige Intertial-Module) durch kurze vertikale Verbindungen, was bei kleineren Abmessungen die Integration von mehr Funktionen sowie eine höhere Leistungsfähigkeit ermöglicht. Die TSV-Technik nutzt kurze vertikale Strukturen zur Verbindung mehrerer Siliziumchips, die aufeinandergestapelt in einem gemeinsamen Gehäuse untergebracht sind. Dies sorgt nicht nur für eine effizientere Nutzung des vorhandenen Platzes, sondern ergibt außerdem eine höhere Verbindungsdichte, als es mit Wire Bonding oder Flip-Chip Stacking möglich ist. Die bereits in der Serienfertigung zum Einsatz kommende, von ST patentierte TSV-Technik hilft, die Größe der MEMS-Bauelemente zu reduzieren, während sich die Robustheit und Leistungsfähigkeit gleichzeitig verbessert. "Auf dem Consumer-Markt besteht eine starke Nachfrage nach kleineren Gehäusen, und die richtungsweisende Implementierung der TSV-Technik in den MEMS-Produkten von ST ebnet den Weg zu kleineren Footprints und mehr Funktionalität in Mobiltelefonen und anderen Geräten", kommentiert Benedetto Vigna, Corporate Vice President und General Manager der Analog, MEMS and Sensor Group von ST, und ergänzt: "Die leistungsfähige dreidimensionale Chip-Integration in unseren intelligenten Sensoren und Mehrachsen-Intertialmodulen stellt einen weiteren Meilenstein im Rahmen unserer Mission dar, MEMS-Bauelemente zu einem allgegenwärtigen Bestandteil sämtlicher Bereiche unseres Lebens zu machen."