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Elektronikproduktion | 10 Mai 2010

Tyndall Institute: GaN-Forschung mit Aixtron MOCVD Anlage

Das Tyndall National Institute am University College in Cork (UCC), Irland hat im vierten Quartal 2009 eine Aixtron Close Coupled Showerhead-Anlage bestellt. Die 3x2-Zoll MOCVD1-Anlage wird im ersten Halbjahr 2010 ausgeliefert.

Das Projekt wird strategisch von der Science Foundation Ireland (SFI) gefördert. „Hohe Leistungsfähigkeit und Engineering-Kompetenz sind wir von unseren vorhandenen Aixtron Anlagen gewohnt", erklärt Professor Peter Parbrock, der die GaN-Forschungsaktivitäten am Institut leitet. „Für die Auswahl der neuen Showerhead-Anlage waren zahlreiche Gründe ausschlaggebend: etwa die flexible Reaktorkammerkonfiguration mit einstellbarer Reaktorhöhe sowie die Möglichkeit, verschiedene Substratgrößen einzusetzen, um diese für unterschiedliche Forschungsprojekte zu nutzen. Die Anlage ist zudem ein Garant für sehr gute Homogenität. Und schließlich können wir mit dem neuen ARGUS Pyrometersystem präzise In-Situ-Temperaturmessungen vornehmen und den Prozess exakt steuern.“ Mit dem Neuerwerb wird das Institut seine Expertise in der Theorie des photonischen Materials auf Galliumnitridbasis sowie bei der Herstellung GaN-basierender Bauelemente vertiefen. Nach der Installation durch das lokale Aixtron Serviceteam wird Tyndall im Bereich modernster GaN/(Al, Ga, In)N-basierter Materialien zur Herstellung opto- und mikroelektronischer Bauelemente forschen – und zwar insbesondere zum Wachstum von AlGaN-Strukturen bei hohen Temperaturen. ----- MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung
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2019.11.19 17:01 V14.7.13-2