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Elektronikproduktion | 10 Mai 2010

Tyndall Institute: GaN-Forschung mit Aixtron MOCVD Anlage

Das Tyndall National Institute am University College in Cork (UCC), Irland hat im vierten Quartal 2009 eine Aixtron Close Coupled Showerhead-Anlage bestellt. Die 3x2-Zoll MOCVD1-Anlage wird im ersten Halbjahr 2010 ausgeliefert.
Das Projekt wird strategisch von der Science Foundation Ireland (SFI) gefördert. „Hohe LeistungsfĂ€higkeit und Engineering-Kompetenz sind wir von unseren vorhandenen Aixtron Anlagen gewohnt", erklĂ€rt Professor Peter Parbrock, der die GaN-ForschungsaktivitĂ€ten am Institut leitet. „FĂŒr die Auswahl der neuen Showerhead-Anlage waren zahlreiche GrĂŒnde ausschlaggebend: etwa die flexible Reaktorkammerkonfiguration mit einstellbarer Reaktorhöhe sowie die Möglichkeit, verschiedene SubstratgrĂ¶ĂŸen einzusetzen, um diese fĂŒr unterschiedliche Forschungsprojekte zu nutzen. Die Anlage ist zudem ein Garant fĂŒr sehr gute HomogenitĂ€t. Und schließlich können wir mit dem neuen ARGUS Pyrometersystem prĂ€zise In-Situ-Temperaturmessungen vornehmen und den Prozess exakt steuern.“ Mit dem Neuerwerb wird das Institut seine Expertise in der Theorie des photonischen Materials auf Galliumnitridbasis sowie bei der Herstellung GaN-basierender Bauelemente vertiefen. Nach der Installation durch das lokale Aixtron Serviceteam wird Tyndall im Bereich modernster GaN/(Al, Ga, In)N-basierter Materialien zur Herstellung opto- und mikroelektronischer Bauelemente forschen – und zwar insbesondere zum Wachstum von AlGaN-Strukturen bei hohen Temperaturen. ----- MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung
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