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Elektronikproduktion | 31 März 2010

Purdue University setzt auf Aixtron Black Magic

Das Birck Nanotechnology Center der Purdue University in West Lafayette, Indiana, USA hat eine Black Magic-Anlage in einer 2-Zoll-Konfiguration bestellt.

Der Auftragseingang erfolgte im 4Q/2009, die Anlage wird im 2Q/2010 ausgeliefert. Mit der neuen Anlage werden Kohlenstoffnanomaterialien und High-K-Oxide mittels ALD)-Technologie abgeschieden. Wie Professor Peide Ye von der Purdue University bestätigt, wird das Projekt im Rahmen des sogenannten DURIP-Programms vom US-Verteidungsministerium unterstützt. Die Black Magic CVD/PECVD)-Anlage bilde dabei die Basis für die aktuellen Forschungsprojekte der CMOS)-Charakterisierung: „Dies ist die erste CVD-Anlage, die zwei unterschiedliche Wachstumsmodi integriert – mit der wir also nicht nur Nanokarbonmaterialien und sogenanntes Graphen, sondern auch High-K-Oxide mittels In-situ-ALD-Verfahren abscheiden können." Damit sei man in der Lage, kohlenstoff- und oxid-basierte Kanalmaterialien für die nächste Bauelement-Generation weiterzuentwickeln. „Der Vorteil, Oxide in-situ unmittelbar nach dem Kanalwachstum aufzubringen, liegt darin, dass Verunreinigungen möglicherweise vermieden werden und wir saubere Kanal/Oxid-Grenzflächen und damit leistungsstärkere Bauelemente herstellen können." Mit dem Scifres Nanofabrication Laboratory verfügt das im Juli 2005 eröffnete USD 58 Millionen teure, 187.000 Quadratmeter große Birck Nanotechnology Center über einen 2500 Quadratmeter großen Reinraum für die Nanoherstellung der Klassen 1-10-100. Neben Räumen zur Nanostrukturforschung, die gegen geringste Vibrationen abgeschirmt sind und in denen Temperatur- und Umgebungsbedingungen äußerst präzise geregelt werden, gibt es Labore für Nanophotonik, Kristallwachstum, molekulare Elektronik, MEMS/NEMS), Oberflächenanalyse, SEM/TEM)-Verfahren sowie für die anschließende elektrische Charakterisierung. Mit einer ausgeprägten Kooperationsstruktur fördert die Universität darüber hinaus die Interaktion und den technischen Transfer mit der Industrie im Bereich der Nanotechnologie. Dr. Rainer Beccard, Vice President Marketing bei Aixtron: „Die Verwendung von III-V-Verbindungen als Kanalmaterialien ist bereits ein vielversprechender Ansatz, um Moore’s Law zukünftig zu folgen. Zusätzlich untersucht man nun die Möglichkeiten alternativer Kanalmaterialien auf Kohlenstoffbasis. Aixtrons MOCVD-Anlagen für 300 mm-Wafer haben sich zur Herstellung von III-V-Kanalmaterialien bewährt. Mit der Implementierung der einzigartigen CNT-/Graphen-/ALD-Anlage an der Purdue University kann jetzt dort auch die entsprechende Forschung zu Kohlenstoffnanomaterialien betrieben werden." ----- • ALD, Atomic Layer Deposition = Atomlagenabscheidung • CVD/PECVD, (Plasma Enhanced) Chemical Vapor Deposition = (plasmagestützte) Gasphasenabscheidung • CMOS, Complementary Metal Oxide Semiconductor = komplementärer Metall-Oxid-Halbleiter • MEMS, Micro-Electro-Mechanical Systems = Mikro-Elektro-Mechanische Systeme / NEMS, Nano-Electro-Mechanical Systems = Nano-Elektro-Mechanische Systeme • SEM = Sekundär-Elektronen-Mikroskop; • TEM = Transmissions-Elektronen-Mikroskop
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