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© ROHM Elektronikproduktion | 18 Juli 2022

Siliziumkarbid-Kooperation zwischen SEMIKRON und ROHM

SEMIKRON und ROHM Semiconductor kooperieren bereits seit über zehn Jahren bei der Implementierung von Siliziumkarbid (SiC) in Leistungsmodulen. Jetzt ist die neueste 4. Generation von ROHMs SiC-MOSFETs in den eMPack®-Modulen von SEMIKRON vollständig für den Einsatz in der Automobilindustrie qualifiziert worden.

SEMIKRON hat dazu bekannt gegeben, dass es sich einen Milliardenvertrag über die Lieferung seiner innovativen eMPack®-Leistungsmodule an einen großen deutschen Automobilhersteller gesichert hat. Die Auslieferung beginne im Jahr 2025, heißt es dazu in einer Pressemitteilung. Das Unternehmen entwickelte mit „Direct Pressed Die“ (DPD) eine vollständig gesinterte Montage- und Verbindungstechnologie, die sehr kompakte, skalierbare und zuverlässige Traktionswechselrichter ermöglicht. Die eMPack®-Modultechnologie wurde speziell für SiC-basierte Wandler mittlerer und hoher Leistung entwickelt. Sie nutze die Eigenschaften des neuen Halbleitermaterials voll aus. 

„Dank der SiC-Technologie von ROHM leisten die innovativen Module der eMPack®-Familie von SEMIKRON einen wesentlichen Beitrag zur Emissionsreduzierung via Elektromobilität. ROHMs SiC-Technologie sorgt in Automotive- und Industrieanwendungen für mehr Effizienz, Leistung und Zuverlässigkeit“, sagt Karl-Heinz Gaubatz, CEO und CTO von SEMIKRON. 

ROHM produziert SiC-Bauteile im eigenen Haus mit einem vertikal integrierten Fertigungssystem. ROHMs Produktionstochtergesellschaft SiCrystal mit Sitz in Nürnberg plant die Siliziumkarbid-Wafer-Kapazitäten und die personellen Ressourcen deutlich aufzustocken. Ziel sei es, mehrere 100.000 Substrate pro Jahr zu produzieren.

„Wir freuen uns, dass SEMIKRON ROHM als SiC-Lieferanten für die Automotive-qualifizierten eMPack®-Leistungsmodule ausgewählt hat. Diese Partnerschaft führt zu einer wettbewerbsfähigen Lösung für Wechselrichteranwendungen in Elektrofahrzeugen. ROHM bietet ein breites Portfolio an SiC-Bauteilen – von Chips bis hin zu Gehäusen. Da die Nachfrage nach SiC weiter steigen wird, beschleunigt ROHM weitere Investitionen und die Produktentwicklung auf der Grundlage der Technologie, die wir als führender SiC-Hersteller kultiviert haben. Darüber hinaus wird unser Unternehmen auch künftig Lösungen vorschlagen und unsere Kunden unterstützen“, so Isao Matsumoto, Präsident und CEO von ROHM Co., Ltd.

ROHM ist nach eigenen Angaben seit Beginn der weltweit ersten Massenproduktion von SiC-MOSFETs führend im Bereich der SiC-Bauteiltechnologie und -Produkte. 

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2022.08.16 15:41 V20.8.14-1