Waferkapazitäten zeigen schnelles Wachstum bei <10nm

Die <10nm-Prozesse sind inzwischen in der Serienproduktion und werden 2019 voraussichtlich 5 Prozent der weltweiten Kapazität ausmachen. Es wird erwartet, dass der Anteil der <10nm-Kapazität bis 2023 auf 25 Prozent ansteigen und zum größten Kapazitätssegment werden wird. Südkorea (Samsung) und Taiwan (TSMC) sind derzeit die beiden einzigen Länder mit Fabriken, die sogenannte <10nm Prozesse verarbeiten. Südkorea und Japan verfügen beide über große Kapazitätsanteile im Segment <20nm - ≥10nm, von denen der überwiegende Teil zur Herstellung von NAND-Flash und DRAM verwendet wird, aber auch für fortschrittliche Logik- und Anwendungsprozessoren mit 14nm, 10nm oder 8/7nm Technologie. Taiwan hat auch einen großen Anteil von <20nm - ≥10nm. Ein weiteres Ergebnis aus dem Bericht ist, dass Südkorea stärker auf <28nm fokussiert bleibt, als die anderen Länder. Angesichts der Tatsache, dass Samsung und SK Hynix den Schwerpunkt auf DRAM- und Flash-Speicherprodukte legen, sei es nicht verwunderlich, dass das Land hier die höchste Dichte an Waferkapazitäten aufweist. Betrachtet man nur die <20nm Prozesse, weist Südkorea den größten Anteil im Vergleich mit anderen Ländern auf. Der chinesische Markt wird von ausländischen Unternehmen wie Samsung, SK Hynix, Intel und TSMC kontrolliert. Taiwan hat seine größten Kapazitätsanteile in den Technologiesegmenten <65nm - ≥28nm und <0,2µ - ≥65nm.