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© mariusz szachowski dreamstime.com Elektronikproduktion | 08 Januar 2019

Cree und STMicro unterzeichnen mehrjährigen Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer

Cree hat mitgeteilt, dass das Unternehmen eine mehrjährige Vereinbarung zur Herstellung und Lieferung ihrer Wolfspeed Siliziumkarbid (SiC)-Wafer an STMicroelectronics unterzeichnet hat. Die Vereinbarung regelt die Lieferung von 250 Millionen US-Dollar (ca. 218 Millionen Euro) der 150-mm-Siliziumkarbid-Bare- und Epitaxiewafer von Cree an STMicroelectronics.
‚ÄěWir wollen unser SiC-Gesch√§ft sowohl in Bezug auf Volumen als auch in der Breite weiter ausbauen und streben die Marktf√ľhrerschaft in einem Markt an, der bis 2025 auf mehr als 3 Milliarden US-Dollar (ca. 2,6 Milliarden Euro) gesch√§tzt wird", sagt Jean-Marc Chery, Pr√§sident und CEO von STMicroelectronics in einer Pressemitteilung. Diese Vereinbarung mit Cree werde die Flexibilit√§t verbessern und dazu beitragen, die Verbreitung von SiC in Automobil- und Industrieanwendungen zu erh√∂hen, so Chery weiter.

‚ÄěWir konzentrieren uns weiterhin darauf, die Akzeptanz von L√∂sungen auf Siliciumcarbidbasis zu erh√∂hen", sagt Gregg Lowe, CEO von Cree. Diese Vereinbarung sei ein Beweis f√ľr die Mission. ‚ÄěDies ist die dritte mehrj√§hrige Vereinbarung, die wir im vergangenen Jahr unterzeichnet haben, um den √úbergang der Branche von Silizium zu Siliziumkarbid zu unterst√ľtzen. Als weltweit f√ľhrender Anbieter von Siliziumkarbid baut Cree seine Kapazit√§ten weiter aus, um den wachsenden Marktanforderungen, insbesondere in Industrie- und Automobilanwendungen, gerecht zu werden", erkl√§rt Lowe abschlie√üend.
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2019.01.17 14:20 V11.11.0-1