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© X-FAB Leiterplatten | 05 September 2018

X-FAB verdoppelt seine 6-Zoll-SiC-Foundrykapazität

Als Reaktion auf die gestiegene Kundennachfrage nach hocheffizienten Leistungshalbleiterbauelementen plant X-FAB Silicon Foundries die Verdoppelung der 6-Zoll-SiC-ProzesskapazitÀt in seinem Werk in Lubbock.
In Vorbereitung auf die Verdoppelung der KapazitĂ€t hat X-FAB Texas einen zweiten beheizten Ionenimplanter fĂŒr die Herstellung von 6-Zoll-SiC-Wafern angeschafft. Die Lieferung dieses beheizten Ionenimplantierers werde fĂŒr Ende 2018 erwartet. Die Produktionsfreigabe ist dann fĂŒr das erste Quartal 2019 geplant, heißt es in einer Pressemitteilung.

Mit der steigenden PopularitĂ€t von SiC habe man schon frĂŒh erkannt, dass die Erhöhung der IonenimplantatkapazitĂ€t entscheidend fĂŒr den anhaltenden Produktionserfolg auf dem SiC-Markt sein wĂŒrde, so Lloyd Whetzel, CEO von X-FAB Texas. Es sei der erste Schritt im Gesamtkapitalplan fĂŒr SiC-spezifische Prozessverbesserungen.

Das Unternehmen sei die erste Wafer-Foundry gewesen, die SiC-Fertigung auf 6-Zoll-Wafern angeboten habe. heißt es weiter. Diese Verdoppelung der SiC-ProzesskapazitĂ€t unterstĂŒtze die Strategie, eine der fĂŒhrenden 6-Zoll-SiC-Wafer-Foundries zu bleiben, so Whetzel.
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2018.11.21 11:24 V11.9.8-1