Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
© X-FAB Leiterplatten | 05 September 2018

X-FAB verdoppelt seine 6-Zoll-SiC-Foundrykapazität

Als Reaktion auf die gestiegene Kundennachfrage nach hocheffizienten Leistungshalbleiterbauelementen plant X-FAB Silicon Foundries die Verdoppelung der 6-Zoll-SiC-Prozesskapazität in seinem Werk in Lubbock.
In Vorbereitung auf die Verdoppelung der Kapazität hat X-FAB Texas einen zweiten beheizten Ionenimplanter für die Herstellung von 6-Zoll-SiC-Wafern angeschafft. Die Lieferung dieses beheizten Ionenimplantierers werde für Ende 2018 erwartet. Die Produktionsfreigabe ist dann für das erste Quartal 2019 geplant, heißt es in einer Pressemitteilung.

Mit der steigenden Popularität von SiC habe man schon früh erkannt, dass die Erhöhung der Ionenimplantatkapazität entscheidend für den anhaltenden Produktionserfolg auf dem SiC-Markt sein würde, so Lloyd Whetzel, CEO von X-FAB Texas. Es sei der erste Schritt im Gesamtkapitalplan für SiC-spezifische Prozessverbesserungen.

Das Unternehmen sei die erste Wafer-Foundry gewesen, die SiC-Fertigung auf 6-Zoll-Wafern angeboten habe. heißt es weiter. Diese Verdoppelung der SiC-Prozesskapazität unterstütze die Strategie, eine der führenden 6-Zoll-SiC-Wafer-Foundries zu bleiben, so Whetzel.

Kommentare

Kritische Kommentare sind erlaubt und auch erwünscht. Diskussionen sind willkommen. Beschimpfungen, Beleidigungen und rassistische / homophobe und verletzende Äusserungen sind nicht erlaubt und werden entfernt.
Weiterführende Erläuterungen finden Sie hier.
Anzeige
Anzeige
Weitere Nachrichten
2018.09.20 15:35 V10.9.6-1