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© X-FAB Leiterplatten | 05 September 2018

X-FAB verdoppelt seine 6-Zoll-SiC-Foundrykapazität

Als Reaktion auf die gestiegene Kundennachfrage nach hocheffizienten Leistungshalbleiterbauelementen plant X-FAB Silicon Foundries die Verdoppelung der 6-Zoll-SiC-Prozesskapazität in seinem Werk in Lubbock.
In Vorbereitung auf die Verdoppelung der Kapazit√§t hat X-FAB Texas einen zweiten beheizten Ionenimplanter f√ľr die Herstellung von 6-Zoll-SiC-Wafern angeschafft. Die Lieferung dieses beheizten Ionenimplantierers werde f√ľr Ende 2018 erwartet. Die Produktionsfreigabe ist dann f√ľr das erste Quartal 2019 geplant, hei√üt es in einer Pressemitteilung.

Mit der steigenden Popularit√§t von SiC habe man schon fr√ľh erkannt, dass die Erh√∂hung der Ionenimplantatkapazit√§t entscheidend f√ľr den anhaltenden Produktionserfolg auf dem SiC-Markt sein w√ľrde, so Lloyd Whetzel, CEO von X-FAB Texas. Es sei der erste Schritt im Gesamtkapitalplan f√ľr SiC-spezifische Prozessverbesserungen.

Das Unternehmen sei die erste Wafer-Foundry gewesen, die SiC-Fertigung auf 6-Zoll-Wafern angeboten habe. hei√üt es weiter. Diese Verdoppelung der SiC-Prozesskapazit√§t unterst√ľtze die Strategie, eine der f√ľhrenden 6-Zoll-SiC-Wafer-Foundries zu bleiben, so Whetzel.
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2019.01.17 14:20 V11.11.0-2