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© selenka dreamstime.com Produkte | 16 Februar 2018

GaN on Silicon in Mainstream-HF-Märkte und Anwendungen

ST sorgt fĂŒr mehr FertigungskapazitĂ€t, Liefersicherheit und SpitzenkapazitĂ€t, wĂ€hrend MACOM seine GaN on Silicon-HF-Leistungsbausteine fĂŒr Mainstream-Anwendungen im Consumer-, Automotive- und Wireless-Basestation-Bereich einbringt.
Das ist eine ProduktankĂŒndigung von STMicroelectronics. Allein der Emittent ist fĂŒr den Inhalt verantwortlich.
MACOM Technology Solutions Holdings, Inc., ein fĂŒhrender Anbieter von leistungsstarken HF-, Mikrowellen, Millimeterwellen- und Photonik-Halbleiterprodukten, und STMicroelectronics, ein weltweit fĂŒhrender Halbleiterhersteller mit Kunden im gesamten Spektrum elektronischer Applikationen, gaben heute den Abschluss eines Abkommens zur Entwicklung von GaN (Galliumnitrid) on Silicon-Wafern bekannt, die von ST fĂŒr MACOM produziert und von MACOM in einer ganzen Palette von HF-Anwendungen eingesetzt werden sollen.

Das Abkommen erweitert nicht nur die Bezugsquellen von MACOM, sondern rĂ€umt außerdem ST das Recht ein, eigene GaN on Silicon-Produkte zu produzieren und in HF-MĂ€rkten neben Mobiltelefonen, Mobilfunk-Basisstationen und den zugehörigen Infrastruktur-Anwendungen zu vertreiben.

MACOM geht davon aus, mit diesem Abkommen auf eine vergrĂ¶ĂŸerte Siliziumwafer-FertigungskapazitĂ€t zurĂŒckgreifen und von einer verbesserten Kostenstruktur profitieren zu können, wodurch die bestehende Silizium-LDMOS-Technologie verdrĂ€ngt und die Verbreitung von GaN on Silicon auf Mainstream-MĂ€rkten beschleunigt werden könnte. Schon seit einigen Jahren arbeiten ST und MACOM gemeinsam daran, die GaN on Silicon-Produktion in der CMOS-Wafer-Fab von ST an den Start zu bringen. Aktuellen Planungen zufolge soll die Produktion von Mustern bei ST im Jahr 2018 beginnen.

„Dieses Abkommen unterstreicht unsere langjĂ€hrige Spitzenstellung beim Umstieg der HF-Industrie auf GaN on Silicon-Technologie. Bisher hat MACOM die VorzĂŒge von GaN on Silicon mithilfe normaler Verbundhalbleiter-Fabriken verfeinert und nachgewiesen, wobei die HF-Performance und die ZuverlĂ€ssigkeit der teuren Alternativtechnologie GaN on SiC erreicht oder gar ĂŒbertroffen wurde“, berichtet John Croteau, President und CEO von MACOM. „Wir erwarten, dass die Zusammenarbeit mit ST die StĂ€rken dieser GaN-Innovationen in einer Silizium-Lieferkette auszuspielen vermag, die letztendlich die anspruchsvollsten Kunden und Anwendungen bedienen kann.“

„Die GrĂ¶ĂŸe und Operational Excellence von ST in der Herstellung von Silizium-Wafern sollen das Potenzial zur Förderung neuer HF-Leistungsanwendungen fĂŒr MACOM und ST erschließen, indem die fĂŒr die Ausweitung des GaN on Silicon-Markts erforderlichen wirtschaftlichen DurchbrĂŒche erzielt werden“, sagt Marco Monti, President der Automotive and Discrete Product Group bei STMicroelectronics. „So interessant der Ausbau der Chancen fĂŒr bestehende HF-Anwendungen auch ist, reizt es uns doch noch mehr, unsere GaN on Silicon-Technologie in neuen RF-Energy-Anwendungen einzusetzen. Ich meine hier insbesondere den Automobilbereich, wo es beispielsweise um Plasma-ZĂŒndungen fĂŒr eine effizientere Verbrennung in konventionellen Motoren geht, sowie den RF-Lighting-Bereich, wo an effizienteren und langlebigeren Beleuchtungssystemen gearbeitet wird.“

„Sobald bei den Hochleistungs-HF-Halbleiterbausteinen die Grenze von 0,04 US-Dollar pro Watt durchbrochen ist, könnten sich immense Chancen fĂŒr den RF-Energy-Markt ergeben“, erklĂ€rt Eric Higham, Director Advanced Semiconductor Applications Service bei Strategy Analytics. „Der potenzielle Absatz von HF-Leistungsbauelementen könnte Hunderte von Millionen StĂŒck betragen, wobei die Anwendungen von konventionellen Mikrowellenherden ĂŒber Automobilbeleuchtungen und -zĂŒndsysteme bis zur Plasmabeleuchtungen reicht. Hier sind UmsĂ€tze von einigen Milliarden Dollar möglich.“
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2018.11.21 10:32 V11.9.7-2