Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
© selenka dreamstime.com Produkte | 16 Februar 2018

GaN on Silicon in Mainstream-HF-Märkte und Anwendungen

ST sorgt für mehr Fertigungskapazität, Liefersicherheit und Spitzenkapazität, während MACOM seine GaN on Silicon-HF-Leistungsbausteine für Mainstream-Anwendungen im Consumer-, Automotive- und Wireless-Basestation-Bereich einbringt.
Das ist eine Produktankündigung von STMicroelectronics. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
MACOM Technology Solutions Holdings, Inc., ein führender Anbieter von leistungsstarken HF-, Mikrowellen, Millimeterwellen- und Photonik-Halbleiterprodukten, und STMicroelectronics, ein weltweit führender Halbleiterhersteller mit Kunden im gesamten Spektrum elektronischer Applikationen, gaben heute den Abschluss eines Abkommens zur Entwicklung von GaN (Galliumnitrid) on Silicon-Wafern bekannt, die von ST für MACOM produziert und von MACOM in einer ganzen Palette von HF-Anwendungen eingesetzt werden sollen.

Das Abkommen erweitert nicht nur die Bezugsquellen von MACOM, sondern räumt außerdem ST das Recht ein, eigene GaN on Silicon-Produkte zu produzieren und in HF-Märkten neben Mobiltelefonen, Mobilfunk-Basisstationen und den zugehörigen Infrastruktur-Anwendungen zu vertreiben.

MACOM geht davon aus, mit diesem Abkommen auf eine vergrößerte Siliziumwafer-Fertigungskapazität zurückgreifen und von einer verbesserten Kostenstruktur profitieren zu können, wodurch die bestehende Silizium-LDMOS-Technologie verdrängt und die Verbreitung von GaN on Silicon auf Mainstream-Märkten beschleunigt werden könnte. Schon seit einigen Jahren arbeiten ST und MACOM gemeinsam daran, die GaN on Silicon-Produktion in der CMOS-Wafer-Fab von ST an den Start zu bringen. Aktuellen Planungen zufolge soll die Produktion von Mustern bei ST im Jahr 2018 beginnen.

„Dieses Abkommen unterstreicht unsere langjährige Spitzenstellung beim Umstieg der HF-Industrie auf GaN on Silicon-Technologie. Bisher hat MACOM die Vorzüge von GaN on Silicon mithilfe normaler Verbundhalbleiter-Fabriken verfeinert und nachgewiesen, wobei die HF-Performance und die Zuverlässigkeit der teuren Alternativtechnologie GaN on SiC erreicht oder gar übertroffen wurde“, berichtet John Croteau, President und CEO von MACOM. „Wir erwarten, dass die Zusammenarbeit mit ST die Stärken dieser GaN-Innovationen in einer Silizium-Lieferkette auszuspielen vermag, die letztendlich die anspruchsvollsten Kunden und Anwendungen bedienen kann.“

„Die Größe und Operational Excellence von ST in der Herstellung von Silizium-Wafern sollen das Potenzial zur Förderung neuer HF-Leistungsanwendungen für MACOM und ST erschließen, indem die für die Ausweitung des GaN on Silicon-Markts erforderlichen wirtschaftlichen Durchbrüche erzielt werden“, sagt Marco Monti, President der Automotive and Discrete Product Group bei STMicroelectronics. „So interessant der Ausbau der Chancen für bestehende HF-Anwendungen auch ist, reizt es uns doch noch mehr, unsere GaN on Silicon-Technologie in neuen RF-Energy-Anwendungen einzusetzen. Ich meine hier insbesondere den Automobilbereich, wo es beispielsweise um Plasma-Zündungen für eine effizientere Verbrennung in konventionellen Motoren geht, sowie den RF-Lighting-Bereich, wo an effizienteren und langlebigeren Beleuchtungssystemen gearbeitet wird.“

„Sobald bei den Hochleistungs-HF-Halbleiterbausteinen die Grenze von 0,04 US-Dollar pro Watt durchbrochen ist, könnten sich immense Chancen für den RF-Energy-Markt ergeben“, erklärt Eric Higham, Director Advanced Semiconductor Applications Service bei Strategy Analytics. „Der potenzielle Absatz von HF-Leistungsbauelementen könnte Hunderte von Millionen Stück betragen, wobei die Anwendungen von konventionellen Mikrowellenherden über Automobilbeleuchtungen und -zündsysteme bis zur Plasmabeleuchtungen reicht. Hier sind Umsätze von einigen Milliarden Dollar möglich.“

Kommentare

Kritische Kommentare sind erlaubt und auch erwünscht. Diskussionen sind willkommen. Beschimpfungen, Beleidigungen und rassistische / homophobe und verletzende Äusserungen sind nicht erlaubt und werden entfernt.
Weiterführende Erläuterungen finden Sie hier.
Anzeige
Anzeige
Weitere Nachrichten
2018.06.25 09:38 V9.6.1-1