imec erzielt Meilensteine bei Single-Patterning mit High-NA-EUV
Das belgische Forschungszentrum imec hat auf der SPIE Photomask Technology + EUV Lithography Conference in Monterey (Kalifornien) neue Fortschritte bei der High-NA-EUV-Lithografie vorgestellt. Im Fokus stehen Single-Patterning-Prozesse für künftige Metallisierungsverfahren.
Imec demonstrierte Linienstrukturen mit einem Pitch von 20 nm und einer Tip-to-Tip-Abmessung von 13 nm, die für die Damascene-Metallisierung relevant sind. Zudem wurden Ruthenium-Leitungen mit 20 nm und 18 nm Pitch im Rahmen eines Direktmetallätzverfahrens (DME) hergestellt. Für die 20-nm-DME-Strukturen wurde eine elektrische Testausbeute von 100 % erzielt.
Die Ergebnisse unterstreichen die Machbarkeit von Single-Exposure-High-NA-EUV für zukünftige Verbindungsschichten. Im Vergleich zu Multi-Patterning reduziert sich die Zahl der Prozessschritte, was Kosten senkt, die Ausbeute erhöht und die Umweltbelastung verringert.
Eine Schlüsselrolle spielt dabei das gemeinsame High-NA-EUV-Labor von imec und ASML in Veldhoven. Dieses Ökosystem mit Partnern aus Chipfertigung, Materialentwicklung, Maskentechnologie und Messtechnik soll den Weg in das Angström-Zeitalter ebnen und Logikknoten unter 2 nm ermöglichen.
Nach Angaben von imec sind die Ergebnisse auch ein Beitrag zur NanoIC-Pilotlinie der EU und unterstützen die Ziele des European Chips Act.