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© selenka dreamstime.com Elektronikproduktion | 29 Januar 2015

IGBTs mit niedrigster Gesamtverlustleistung beim Schalten von Frequenzen zwischen 50 Hz und 20 kHz

Die Infineon Technologies AG hat heute eine neue Klasse von IGBTs mit niedriger Sättigungsspannung V CE(sat) vorgestellt, die insbesondere für Schaltfrequenzen im Bereich von 50 Hz bis 20 kHz optimiert sind.

Das ist eine Produktankündigung von Infineon Technologies. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Diese finden sich typischerweise bei Anwendungen wie der unterbrechungsfreien Stromversorgung (USV) sowie bei Wechselrichtern in Photovoltaik- und Schweißanlagen. Die neue L5-Familie basiert auf der TRENCHSTOP™ 5 DünnwaferTechnologie, deren systembedingt ohnehin niedriger Leitungsverlust durch eine zusätzliche Optimierung des Ladungsträgerkanals weiter reduziert wurde. Mit einem typischen Sättigungswert von V CE(sat) = 1,05 V bei 25 °C können ganz neue Wirkungsgrade erzielt werden. Verbesserungen um bis zu 0,1 % in einer NPC 1-Topologie oder bis zu 0,3 % in einer NPC 2-Topologie sind möglich, wenn die vorhergehenden Versionen der TRENCHSTOP IGBTs durch die neue L5-Familie ersetzt wird. Zusammen mit dem positiven Temperaturkoeffizienten des V CE(sat) bleibt der hohe Wirkungsgrad erhalten und erlaubt zudem die Parallelisierung mehrerer Bauteile – ein Branchenbenchmark für IGBTs mit Schaltfrequenzen unter 20 kHz. Die TRENCHSTOP 5-Technologie der L5-Familie liefert nicht nur beispiellos niedrige Leitungsverluste, sondern garantiert auch, dass der Gesamtschaltverlust maximal 1,6 mJ bei 25 °C beträgt. Speziell bei Anwendungen mit geringer Schaltfrequenz führt die L5-Familie dadurch zu einem höheren Wirkungsgrad, verbesserter Zuverlässigkeit und kleinerer Systemabmessung. Die neue L5-IGBT-Familie wird zunächst in dem branchenüblichen TO-247 3pin-Gehäuse auf den Markt gebracht. Darüber hinaus bietet Infineon den L5 auch im innovativen TO-247 4pin Kelvin-Emitter-Gehäuse an, um den Wirkungsgrad der Anwendung zusätzlich zu steigern. Im Vergleich zum TO-247 3pin-Gehäuse senkt das TO-247 4pin-Gehäuse die Schaltverluste um weitere 20 %. Die Kombination von L5 mit dem TO-247 4pin führt daher zu den absolut niedrigsten statischen und dynamischen Verlusten. Hiermit unterstreicht Infineon die führende Rolle im Markt für Leistungshalbleiter, in dem das Unternehmen hoch innovative und differenzierte Produkte anbietet. Verfügbarkeit Die neue L5-Familie mit niedrigem V CE(sat) ist in den Stromklassen 30 A und 75 A als Einzel-IGBT oder in Kombination mit den ultraschnellen Rapid 1 und Rapid 2 Siliziumdioden von Infineon erhältlich. Das TO-247 4pin Kelvin-Emitter-Gehäuse wird für die Stromklasse 75 A angeboten.
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2019.04.25 12:19 V13.2.1-2