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© luchschen dreamstime.com Elektronikproduktion | 01 September 2014

MELCO setzt auf MOCVD-Anlage von Aixtron

Die japanische Mitsubishi Electric Corporation (MELCO) hat die Produktion mit einem AIX 2800G4 HT Planetenreaktor von Aixtron aufgenommen.
Die fĂŒr 11x4-Zoll Wafer konfigurierte Anlage wird hauptsĂ€chlich in der Entwicklung und Massenproduktion von hocheffizienten Galliumnitrid-auf-Silizium-LeistungsverstĂ€rkern fĂŒr Mobilfunk-Basisstationen eingesetzt. MELCO’s Entscheidung, eine G4-Anlage fĂŒr die Herstellung hocheffizienter LeistungsverstĂ€rker zu erwerben, basiert auf der positiven Erfahrung mit der Aixtrons VorgĂ€ngeranlagengeneration G3 MOCVD. Die Planetenanlage ist Ă€ußerst flexibel und liefert eine maximale Ausbeute, die durch eine höhere GleichmĂ€ĂŸigkeit in der Beschichtung sowie eine minimale WaferkrĂŒmmung erreicht wird. Das Unternehmen sieht der Nutzung der Anlage in der Massenfertigung daher erwartungsvoll entgegen. Dr. Frank Wischmeyer, Vice President Power Electronics bei Aixtron, fĂŒgt hinzu: „Die Galliumnitrid-auf-Silizium-Technologie entwickelt sich zur Technologie der Wahl fĂŒr die Produktion von Leistungselektronik auf 4“, 6“ und 200 mm Silizium, da sie sowohl hohe LeistungsfĂ€higkeit als auch kostengĂŒnstige Herstellungsprozesse erlaubt. Wir freuen uns sehr, MELCO bei der Herstellung von monolithischen LeistungsverstĂ€rkern und diskreten HEMTs (High Electron Mobility Transistors) zu unterstĂŒtzen.“
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