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Elektronikproduktion |
Sumitomo erweitert Maschinenpark
Sumitomo baut mit Aixtron Anlage Produktionskapazitäten zur Herstellung von GaN-auf-SiC-Bauelementen aus.
Die Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (SEDI), Japan, hat eine Aixtron CRIUS MOCVD-Anlage in einer 4-Zoll-Konfiguration bestellt, um die Produktion von Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid-Bauelementen für Anwendungen in der Hochfrequenz-Datenübertragung zu steigern. Der Anlagenkauf wurde im ersten Quartal 2014 abgeschlossen, die Auslieferung an die Electron Devices Division von SEDI in Yokohama erfolgt im dritten Quartal.
