Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
© nikm dreamstime.com Elektronikproduktion | 19 April 2013

Uni Cambridge setzt zusätzliche Aixtron Anlage ein

Die UniversitĂ€t Cambridge in Großbritannien hat einen weiteren Close Coupled Showerhead (CCS)-Reaktor von Aixtron in Betrieb genommen. Die neue Anlage ist fĂŒr 1x6-Zoll- bzw. 150 mm-Wafer konfiguriert und kann auch 6x2-Zoll-Wafer verarbeiten.
“Wir wollen die Herstellung von Galliumnitrid-LEDs und elektronischen Bauteilen auf 6-Zoll Silizium-Wafern forcieren", so Prof. Sir Colin Humphreys, der die Forschungsabteilung fĂŒr Materialwissenschaften und Metallurgie in Cambridge leitet und bereits eine CCS 6x2-Zoll Anlage nutzt. „Angesichts der Dynamik im GaN-auf-Silizium-Markt benötigen wir ein weiteres System, das Wafer in dieser GrĂ¶ĂŸe verarbeiten kann." „Wir freuen uns, einen weiteren Forschungsreaktor an die UniversitĂ€t Cambridge zu liefern und die bewĂ€hrte Zusammenarbeit fortzusetzen“, so Tony Pearce, GeschĂ€ftsfĂŒhrer von Aixtron Ltd. „Die Forschungsgruppe um Professor Humphreys in Cambridge hat weltweit fĂŒhrende GaN-auf-Si-Prozesse entwickelt – wir sind stolz, ihre Arbeit weiter zu unterstĂŒtzen." Dr. Frank Schulte, Vice President von Aixtron Europa, Ă€ußerte sich ebenfalls erfreut ĂŒber die Folgebestellung aus Großbritannien: „Professor Colin Humphreys und sein Team gelten als Pioniere in der GaN-auf-Si-Forschung und werden maßgeblich zum Erfolg der Industrie beitragen. Wir rechnen damit, dass Siliziumsubstrate in der Leistungselektronik und in LED-Anwendungen kĂŒnftig einen hohen Marktanteil erzielen werden." Das Forschungszentrum fĂŒr Galliumnitrid in Cambridge beschĂ€ftigt sich mit dem Wachstum von Nitrid-Halbleitern und gilt als eine der wenigen Einrichtungen weltweit, die zugleich ĂŒber ein großes Spektrum modernster Analysemethoden zur Materialcharakterisierung verfĂŒgt, wie Elektronenmikroskopie, Röntgenbeugung, Rasterkraftmikroskopie, Photolumineszenz und Hall-Effekt-Messung. Das Team wird von Spezialisten in der Grundlagenforschung von Nitridhalbleitern ergĂ€nzt, die sich eingehend mit den physikalischen Eigenschaften dieses Materials befassen.
Anzeige
Anzeige
Weitere Nachrichten
2019.02.20 12:04 V12.2.3-2