Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
© nikm dreamstime.com Elektronikproduktion | 19 April 2013

Uni Cambridge setzt zusätzliche Aixtron Anlage ein

Die Universität Cambridge in Großbritannien hat einen weiteren Close Coupled Showerhead (CCS)-Reaktor von Aixtron in Betrieb genommen. Die neue Anlage ist für 1x6-Zoll- bzw. 150 mm-Wafer konfiguriert und kann auch 6x2-Zoll-Wafer verarbeiten.

“Wir wollen die Herstellung von Galliumnitrid-LEDs und elektronischen Bauteilen auf 6-Zoll Silizium-Wafern forcieren", so Prof. Sir Colin Humphreys, der die Forschungsabteilung für Materialwissenschaften und Metallurgie in Cambridge leitet und bereits eine CCS 6x2-Zoll Anlage nutzt. „Angesichts der Dynamik im GaN-auf-Silizium-Markt benötigen wir ein weiteres System, das Wafer in dieser Größe verarbeiten kann." „Wir freuen uns, einen weiteren Forschungsreaktor an die Universität Cambridge zu liefern und die bewährte Zusammenarbeit fortzusetzen“, so Tony Pearce, Geschäftsführer von Aixtron Ltd. „Die Forschungsgruppe um Professor Humphreys in Cambridge hat weltweit führende GaN-auf-Si-Prozesse entwickelt – wir sind stolz, ihre Arbeit weiter zu unterstützen." Dr. Frank Schulte, Vice President von Aixtron Europa, äußerte sich ebenfalls erfreut über die Folgebestellung aus Großbritannien: „Professor Colin Humphreys und sein Team gelten als Pioniere in der GaN-auf-Si-Forschung und werden maßgeblich zum Erfolg der Industrie beitragen. Wir rechnen damit, dass Siliziumsubstrate in der Leistungselektronik und in LED-Anwendungen künftig einen hohen Marktanteil erzielen werden." Das Forschungszentrum für Galliumnitrid in Cambridge beschäftigt sich mit dem Wachstum von Nitrid-Halbleitern und gilt als eine der wenigen Einrichtungen weltweit, die zugleich über ein großes Spektrum modernster Analysemethoden zur Materialcharakterisierung verfügt, wie Elektronenmikroskopie, Röntgenbeugung, Rasterkraftmikroskopie, Photolumineszenz und Hall-Effekt-Messung. Das Team wird von Spezialisten in der Grundlagenforschung von Nitridhalbleitern ergänzt, die sich eingehend mit den physikalischen Eigenschaften dieses Materials befassen.
Weitere Nachrichten
2019.06.17 21:26 V13.3.21-1