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Kartellrecht: Kommission belegt DRAM-Hersteller mit Geldbuße
Die Europäische Kommission hat heute ihren ersten Vergleichsbeschluss in einem Kartellfall erlassen, an dem zehn Hersteller von Speicherchips – sogenannten DRAMs – für Computer und Server beteiligt waren.
Bei der Geldbuße, die sich auf insgesamt EUR 331 273 800 beläuft, wurde eine Ermäßigung von 10% gewährt, da die Unternehmen den Sachverhalt einräumten.
Der Beschluss richtet sich an Micron, Samsung, Hynix, Infineon, NEC, Hitachi, Mitsubishi, Toshiba, Elpida und Nanya. Micron wurde die Geldbuße jedoch erlassen, da das Unternehmen der Kommission die Existenz des Kartells enthüllte.
„Dieser erste Vergleichsbeschluss ist ein weiterer Meilenstein im Kampf der Kommission gegen Kartelle. Durch das Eingeständnis ihrer Beteiligung an einem Kartell haben die Unternehmen der Kommission ermöglicht, diese seit langem laufende Untersuchung abzuschließen und Ressourcen für die Untersuchung anderer Verdachtsfälle freizusetzen. Da das Verfahren in neuen Fällen angewendet wird, erwarten wir eine erhebliche Beschleunigung der Untersuchungen“, sagte der Wettbewerbskommissar und Vizepräsident der Kommission Joaquín Almunia.
Der Fall
Die Kommission hat nach Durchführung einer Kartelluntersuchung einen Beschluss erlassen, in dem Samsung, Hynix, Infineon, NEC, Hitachi, Mitsubishi, Toshiba, Elpida und Nanya mit einer Geldbuße von insgesamt EUR 331 273 800 belegt werden. Der Beschluss richtet sich auch an Micron, doch da das Unternehmen die Kommission im Jahr 2002 über die Existenz des Kartells informierte, wurde ihm die gesamte Geldbuße erlassen.
Von einer Ausnahme (Infineon, Deutschland) abgesehen handelt es sich bei den beteiligten um nichteuropäische Unternehmen, die ihre Produkte allerdings im Europäischen Wirtschaftsraum (EWR)1 vertreiben und somit dem EU-Recht unterliegen.
Bei den Geldbußen wurden die Verkaufszahlen der beteiligten Unternehmen im EWR sowie die außergewöhnliche Schwere und der geografische Umfang der Zuwiderhandlung berücksichtigt. Im Einzelnen wurden folgende Geldbußen verhängt:
Micron wurde die Geldbuße vollständig erlassen, da das Unternehmen die Kommission als erstes informierte. Zwischen Dezember 2003 und Februar 2006 stellten auch Infineon, Hynix, Samsung, Elpida und NEC Anträge auf Anwendung der EU-Kronzeugenregelung.
Die Kommission berücksichtigte ihre Zusammenarbeit bei der Untersuchung und gewährte Ermäßigungen von 45% (Infineon), 27% (Hynix) bzw. 18% (Samsung, Elpida und NEC). Aufgrund mildernder Umstände wurde die Geldbuße für Hynix um weitere 5% und die für Toshiba und Mitsubishi um weitere 10% ermäßigt. Abschließend wurde allen Unternehmen aufgrund der Beilegung des Falls im Vergleichsverfahren eine Ermäßigung von 10% gewährt.
Das Kartell bestand zwischen dem 1. Juli 1998 und dem 15. Juni 2002. Die Mitglieder des Kartells bauten ein Netz von Kontakten auf, tauschten – zumeist auf bilateraler Ebene – geheime Informationen aus und koordinierten so die Preise für DRAMs (Dynamic Random Access Memory), einem gängigen Modell von „dynamischen“ Halbleiterspeichern für PCs, Server und Workstations, die an große Erstausrüster von PCs oder Servern im EWR verkauft werden.
Micron wurde die Geldbuße vollständig erlassen, da das Unternehmen die Kommission als erstes informierte. Zwischen Dezember 2003 und Februar 2006 stellten auch Infineon, Hynix, Samsung, Elpida und NEC Anträge auf Anwendung der EU-Kronzeugenregelung.
Die Kommission berücksichtigte ihre Zusammenarbeit bei der Untersuchung und gewährte Ermäßigungen von 45% (Infineon), 27% (Hynix) bzw. 18% (Samsung, Elpida und NEC). Aufgrund mildernder Umstände wurde die Geldbuße für Hynix um weitere 5% und die für Toshiba und Mitsubishi um weitere 10% ermäßigt. Abschließend wurde allen Unternehmen aufgrund der Beilegung des Falls im Vergleichsverfahren eine Ermäßigung von 10% gewährt.
Das Kartell bestand zwischen dem 1. Juli 1998 und dem 15. Juni 2002. Die Mitglieder des Kartells bauten ein Netz von Kontakten auf, tauschten – zumeist auf bilateraler Ebene – geheime Informationen aus und koordinierten so die Preise für DRAMs (Dynamic Random Access Memory), einem gängigen Modell von „dynamischen“ Halbleiterspeichern für PCs, Server und Workstations, die an große Erstausrüster von PCs oder Servern im EWR verkauft werden.