SiCrystal freut sich über neue Produktionsflächen
Zur Stärkung der Halbleiterindustrie und zur Förderung nachhaltiger Technologien wird die SiCrystal GmbH im Nordosten Nürnbergs, direkt gegenüber dem bestehenden Standort, neue, zusätzliche Produktionsflächen schaffen. Das neue Gebäude wird weitere 6.000 Quadratmeter Produktionsfläche bieten und mit modernster Technologie ausgestattet sein, um die Produktion von Siliziumkarbid-Wafern weiter zu optimieren. Das hat das Unternehmen jetzt mitgeteilt.
Die unmittelbare Nähe zum bestehenden Werk werde eine enge Verzahnung der Produktionsprozesse gewährleisten. Die Gesamtproduktionskapazität von SiCrystal, einschließlich des bestehenden Gebäudes, werde im Jahr 2027 etwa dreimal so hoch sein wie im Jahr 2024, heißt es weiter.
„Die neue Fläche wird die Produktionskapazität für SiC-Substrate deutlich erhöhen“, sagt Dr. Robert Eckstein, Geschäftsführer von SiCrystal.
Dieser Schritt unterstreiche die Bedeutung des Projekts für die Stadt und die Region.
„Dieser Spatenstich markiert einen wichtigen Meilenstein für SiCrystal und unterstreicht unser Engagement in der Metropolregion. Mit den zusätzlichen Produktionskapazitäten werden wir unsere Marktposition stärken und einen wichtigen Beitrag zur technologischen Entwicklung in der Halbleiterindustrie leisten“, ergänzt Dr. Erwin Schmitt, COO von SiCrystal.
Die Bauarbeiten sollen bis Anfang 2026 abgeschlossen sein und werden neue Arbeitsplätze in der Region schaffen. SiC-Wafer von SiCrystal, einer Tochtergesellschaft der japanischen ROHM-Gruppe, sind eigenen Angaben nach von entscheidender Bedeutung für die Herstellung von Hochleistungs-Halbleiterkomponenten. Durch die Verwendung von SiC könne eine höhere Effizienz, ein geringerer Energieverbrauch und eine bessere Leistung in verschiedenen Anwendungen wie Elektrofahrzeugen, Solarenergie und Industrieanlagen erreicht werden.
SiCrystal hat das Ziel, die Zahl der Arbeitsplätze bis zum Ende des Geschäftsjahres 2027/28 um mehr als 100 zu erhöhen.