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© STMicroelectronics
Komponenten |

Neues Joint Venture für chinesischen SiC-Markt

STMicroelectronics und Sanan Optoelectronics, Hersteller von Verbindungshalbleitern in China, der in den Bereichen LEDs, SiC, optische Kommunikation, RF, Filter und GaN-Produkte tätig ist, haben eine Vereinbarung über die Gründung eines neuen Joint Ventures zur Herstellung von 200-mm-Siliziumkarbid-Bauelementen in Chongqing in China unterzeichnet.

Die neue SiC-Fabrik soll im 4. Quartal 2025 die Produktion aufnehmen und bis 2028 vollständig ausgebaut sein, um die steigende Nachfrage in China für die Elektrifizierung von Fahrzeugen sowie für industrielle Strom- und Energieanwendungen zu kompensieren. Parallel dazu werde Sanan Optoelectronics eine neue Produktionsstätte für 200-mm-SiC-Substrate errichten und betreiben, um den Bedarf des Joint Ventures zu decken, und dabei sein eigenes SiC-Substratverfahren einsetzen. 

Das Joint Venture soll SiC-Bauelemente exklusiv für STMicroelectronics herstellen und dabei die ST-eigene SiC-Fertigungstechnologie verwenden. Außerdem werde es als spezielle Foundry für ST fungieren, um die Nachfrage seiner chinesischen Kunden zu decken. 

Der Gesamtbetrag für den vollständigen Aufbau des Joint Ventures wird sich voraussichtlich auf etwa 3,2 Milliarden US-Dollar belaufen, einschließlich Investitionsausgaben in Höhe von etwa 2,4 Milliarden US-Dollar in den nächsten fünf Jahren. Sie sollen durch Beiträge von STMicroelectronics und Sanan Optoelectronics, Unterstützung der lokalen Regierung und Darlehen an das Joint Venture finanziert werden. 

„China bewegt sich schnell in Richtung Elektrifizierung im Automobil- und Industriebereich, und dies ist ein Markt, auf dem ST bereits mit vielen engagierten Kundenprogrammen gut etabliert ist. Die Gründung einer eigenen Foundry mit einem wichtigen lokalen Partner ist der effizienteste Weg, um die steigende Nachfrage unserer chinesischen Kunden zu bedienen. Durch die Kombination der künftigen 200-mm-Substratfertigung von Sanan Optoelectronics mit dem Front-End-JV und der bestehenden Back-End-Anlage von ST in Shenzhen kann ST seinen chinesischen Kunden eine vollständig vertikal integrierte SiC-Wertschöpfungskette anbieten", sagt Jean-Marc Chery, Präsident und CEO von STMicroelectronics.

Man gehe davon aus, dass dieses Joint-Venture eine der Voraussetzungen dafür ist, dass man bis 2030 einen SiC-Umsatz von mehr als 5 Milliarden US-Dollar erzielen kann, heißt es weiter.

„Die Gründung dieses Joint Ventures wird eine wichtige Triebkraft für die breite Einführung von SiC-Bauelementen auf dem chinesischen Markt sein", so Simon Lin, CEO von Sanan Optoelectronics. 


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2024.04.11 07:39 V22.4.25-2
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