IQE reicht Klage gegen Tower Semiconductor ein
Von IQE heißt es dazu, dass es signifikante Beweise dafür gebe, dass Tower die Geschäftsgeheimnisse von IQE missbraucht hat, um unrechtmäßig Patente auf IQEs Technologie zu erhalten. IQE plc, Anbieter von Verbindungshalbleiter-Wafern und fortschrittlichen Werkstoff-Lösungen hat dazu jetzt bekannt gegeben, dass man Klage gegen Tower Semiconductor eingereicht habet, heißt es in einer Presseerklärung.
Die Ansprüche, so das Unternehmen, beziehen sich auf die proprietäre poröse Siliziumtechnologie von IQE, die als Grundlage für Geräte in 5G- und fortschrittlichen Sensoranwendungen dienen würde. IQE hat seine Klage beim US-Bundesgericht in Kalifornien in Bezug auf die widerrechtliche Aneignung von Geschäftsgeheimnissen, die Korrektur der Urheberschaft, Vertragsbruch, unlauteren Wettbewerb und vorsätzliche Beeinträchtigung eines zukünftigen wirtschaftlichen Vorteils eingereicht.
„Wir haben diese Ansprüche geltend gemacht, da wir Grund zu der Annahme haben, dass Tower die geschützten Geschäftsgeheimnisse von IQE zu seinem eigenen Vorteil missbraucht hat. Unsere Technologie, unsere Prozesse und unser geistiges Eigentum sind von entscheidender Bedeutung für die Produkte und Lösungen von IQE und für die Aufrechterhaltung unserer marktführenden Position bei modernen Halbleitermaterialien. Wir werden sie energisch schützen und weitere Informationen geben, sobald sich wesentliche Entwicklungen ergeben", so Tom Dale, General Counsel & Company Secretary bei IQE.
