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Nexperia und UAES vereinbaren enge Partnerschaft im Bereich Galliumnitrid
Nexperia gibt bekannt, mit United Automotive Electronic Systems Co., Ltd (UAES) eine enge Partnerschaft für Galliumnitrid- (GaN) Halbleiterbauelemente vereinbart zu haben.
Das Programm konzentriert sich auf Energieversorgungssysteme für Elektrofahrzeuge und hat zum Ziel, gemeinsam Automobilanwendungen auf der Basis von GaN-Technologie zu entwickeln.
Die zunehmende Elektrifizierung von Autos, der ständig steigende Leistungsbedarf von 5G-Telekommunikationslösungen und die Evolution von Industrie 4.0 erfordern Energiewandler mit größtmöglicher Energieeffizienz – und GaN wird sich voraussichtlich als Mainstream-Technologie für diesen Bereich etablieren, schreibt Nexperia in einer Pressemitteilung.
Die genannten Trends führen zu einem zunehmenden Bedarf an Leistungshalbleitern in diesem und den folgenden Jahren. UAES setzt GaN-FETs von Nexperia bereits in F&E- und Kooperationsprojekten ein, u. a. in fahrzeuginternen Ladegeräten und Hochspannungs-DC/DC-Wandlern für Elektroautos. Nexperias GaN-Technologie liefert hervorragende FOM-Werte (figure of merit, RDS(ON) • QGD) und Qrr-Werte (Reverse Recovery Charge) und ermöglicht dadurch hohe Schaltfrequenzen und sehr hohe Wandlerwirkungsgrade.
Nexperia produziert GaN-Bauelemente auf der Basis ausgereifter und zuverlässiger Massenproduktionsprozesse, größtenteils in den eigenen globalen Produktionsstätten und nach den hohen Qualitätsanforderungen des Automobilindustrie-Standards AEC-Q101.
Paul Zhang, SVP Sales & Marketing und General Manager bei Nexperia China, erläutert: "Die hohe Leistungsdichte und Energieeffizienz von GaN-Feldeffekttransistoren auf Siliziumsubstrat werden bei der Elektromobilität eine entscheidende Rolle spielen. Wir schätzen sehr das breite Angebot, die hervorragende Marktposition und die Kundenbasis von UAES in der Automobilindustrie und glauben, dass unsere verstärkte Zusammenarbeit im Bereich GaN beiden Unternehmen helfen wird, unseren Kunden fortschrittlichere und effizientere Lösungen für EV-Energieversorgungssysteme zu liefern. Mit der im Februar angekündigten Erhöhung der weltweiten Produktion und weiterer Investitionen in Forschung und Entwicklung werden wir die Entwicklung neuer Produkte voranbringen. Wir beabsichtigen, unsere Investitionen weiter auszubauen und gemeinsam ein Labor für die Entwicklung automobiler GaN-Anwendungen zu schaffen."