Nexperia und UAES vereinbaren enge Partnerschaft im Bereich Galliumnitrid

Das Programm konzentriert sich auf Energieversorgungssysteme für Elektrofahrzeuge und hat zum Ziel, gemeinsam Auto­mobilanwen­dungen auf der Basis von GaN-Technologie zu entwickeln. Die zuneh­mende Elektrifizierung von Autos, der ständig steigende Leistungsbedarf von 5G-Tele­kom­munikations­lösungen und die Evolution von Industrie 4.0 erfordern Energie­wandler mit größt­möglicher Energie­effizienz – und GaN wird sich voraussichtlich als Mainstream-Technologie für diesen Bereich etablieren, schreibt Nexperia in einer Pressemitteilung. Die genannten Trends führen zu einem zuneh­menden Bedarf an Leistungs­halbleitern in diesem und den folgenden Jahren. UAES setzt GaN-FETs von Nexperia bereits in F&E- und Kooperationsprojekten ein, u. a. in fahrzeuginternen Ladegeräten und Hochspannungs-DC/DC-Wandlern für Elektroautos. Nexperias GaN-Technologie liefert hervorragende FOM-Werte (figure of merit, RDS(ON) • QGD) und Qrr-Werte (Reverse Recovery Charge) und ermög­licht dadurch hohe Schalt­frequenzen und sehr hohe Wandlerwirkungs­grade. Nexperia produziert GaN-Bau­ele­mente auf der Basis ausgereifter und zuverlässiger Massenproduktions­­pro­zesse, größtenteils in den eigenen globalen Produktionsstätten und nach den hohen Qualitäts­anfor­de­rungen des Auto­mobil­indus­trie-Standards AEC-Q101. Paul Zhang, SVP Sales & Marketing und General Manager bei Nexperia China, erläutert: "Die hohe Leistungs­dichte und Energie­effizienz von GaN-Feldeffekt­transistoren auf Siliziumsubstrat werden bei der Elektromobilität eine entscheidende Rolle spielen. Wir schätzen sehr das breite Angebot, die hervor­ragende Marktposition und die Kundenbasis von UAES in der Automobilindustrie und glauben, dass unsere verstärkte Zusammenarbeit im Bereich GaN beiden Unternehmen helfen wird, unseren Kunden fortschrittlichere und effizientere Lösungen für EV-Energieversorgungssysteme zu liefern. Mit der im Februar ange­kündigten Erhöhung der weltweiten Produktion und weiterer Investitionen in Forschung und Entwicklung werden wir die Entwicklung neuer Produkte voranbringen. Wir beab­sichtigen, unsere Investitionen weiter auszubauen und gemeinsam ein Labor für die Entwicklung auto­mobiler GaN-Anwendungen zu schaffen."