Vitesco Technologies und ROHM kooperieren bei Siliziumkarbid Leistungshalbleitern

Redakteur: Christian Schewe

Vitesco Technologies und ROHM Semiconductor haben eine Entwicklungspartnerschaft unterzeichnet, die in diesem Monat beginnt. Vitesco Technologies werde SiC-Bausteine nutzen, um die Effizienz seiner Leistungselektronik für Elektrofahrzeuge (EV) zu steigern, heißt es in einer Pressemitteilung.

Mit ihrem höheren Wirkungsgrad nutzten SiC-Halbleiter die in der Fahrzeugbatterie gespeicherte Energie besser aus. Auf diese Weise gewinne das Fahrzeug an Reichweite, oder die Batterie könne kleiner ausfallen, ohne damit die Reichweite zu beeinträchtigen. „Energieeffizienz ist im Elektrofahrzeug von herausragender Bedeutung. Da die Antriebsbatterie die einzige Energiequelle im Fahrzeug ist, müssen alle Wandlungsverluste minimiert werden. Deshalb entwickeln wir eine SiC-Option als Teil unseres modularen Leistungselektroniksystems," sagt Thomas Stierle, Leiter der Geschäftseinheit Electrification Technology bei Vitesco Technologies. „Um den maximalen Wirkungsgrad aus der Leistungselektronik und der E-Maschine herauszuholen, werden wir SiC-Bausteine von unserem bevorzugten Partner einsetzen. ROHM hat uns mit seinen Produkten überzeugt.” „Wir freuen uns auf die künftige Zusammenarbeit mit Vitesco Technologies”, sagt Dr. Kazuhide Ino, Corporate Officer, Direktor der Geschäftseinheit Power Device bei ROHM Co.,Ltd. „Wir sind weltweit der führende Anbieter bei SiC-Leistungshalbleitern und Gate-Treiber ICs und haben uns auf diesem Feld einen erheblichen technischen Vorsprung erarbeitet. Gemeinsam mit Vitesco Technologies wollen wir die Energieeffizienz von elektronischen Komponenten für die Elektromobilität weiter steigern und so eine nachhaltige Mobilität sichern.” Vitesco Technologies entwickelt und testet SiC-Technologie bereits in einem 800 V Inverterkonzept, um das Effizienzpotenzial dieser Technologie zu bestätigen. Bei diesem Programm ruht das Augenmerk auf dem Gesamtsystem aus Elektronik und Maschine, um die beste Kombination aus Bausteintechnologie und Schaltstrategie zu bestimmen. SiC-Leistungshalbleiter (zum Beispiel SiC MOSFET für 800 V Batteriesysteme, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) bieten für diese Aufgabe eine höhere Schalteffizienz (höhere Schaltfrequenz, steilere Schaltflanken) und verursachen geringere Oberschwingungsverluste in der elektrischen Maschine. Außerdem ist die SiC-Tech¬nologie unverzichtbar für superschnelle Ladeverfahren mit 800 V. Im Rahmen der Kooperation wollen ROHM und Vitesco Technologies daran arbeiten, die beste Kombination von SiC-Technologie für die Großserienfertigung und die optimale Anpassung des Inverter-Designs für höchste Effizienz zu schaffen.

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