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© Aixtron Komponenten | 19 April 2016

AIX G5+ C wurde von imec qualifiziert

Die G5+ C Multi-Wafer MOCVD-Plattform von Aixtron wurde im Rahmen der Kooperation mit dem Nanoelektronik-Forschungszentrum imec im Bereich der (GaN)-Leistungsbauelementetechnologie qualifiziert.
Vor kurzem erhielten Aixtron und das belgischen Nanoelektronik-Forschungszentrum imec (Interuniversity Microelectronics Centre) den renommierten CS Industry Award 2016. t in der Kategorie „High Volume Manufacturing“ für die G5+ C und imec in der Kategorie „Substrates and Materials“ für die Entwicklung von GaN-auf-Si-Materialien.

Um die Expertise beider Partner zu kombinieren, ist t dem Industriepartnerprogramm von imec für die Weiterentwicklung der GaN-auf-Si-Hochleistungsbauelemente-Technologie beigetreten. Im Rahmen dieses Programms wurde die 5x200 mm G5+ MOCVD-Plattform von t für die Integration der proprietären dispersionsfreien Hochspannungspuffertechnologie von imec qualifiziert. Dieses Ziel wurde innerhalb sehr kurzer Zeit erreicht und zeigt damit das hohe technologische Niveau des AIX G5+ C-Systems.

Dr. Frank Wischmeyer, Vice President Marketing und Business Development Power Electronics bei AIXTRON, kommentiert: „Wir freuen uns, die erfolgreiche Qualifikation der proprietären 200 mm GaN-auf-Si Materialtechnologie von imec auf unserer G5+ C-Anlage, die für die Großserienfertigung ausgelegt ist, bekanntgeben zu können.“

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2018.10.15 23:56 V11.6.0-1