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© st micro Komponenten | 24 Juli 2015

STMicro steigert Wirkungsgrad von Leistungs-Schaltanwendungen

650-V-IGBTs von STMicroelectronics steigern den Wirkungsgrad von Leistungs-Schaltanwendungen mit 20 kHz Schaltfrequenz.
Das ist eine ProduktankĂŒndigung von STMicroelectronics. Allein der Emittent ist fĂŒr den Inhalt verantwortlich.
Die neuen 650-V-IGBTs der M-Serie von STMicroelectronics bieten Designern eine ebenso schnelle wie erschwingliche Möglichkeit, den Wirkungsgrad von Antriebsmotoren in Heizungs-, LĂŒftungs- und Klimaanlagen, von unterbrechungsfreien Stromversorgungen, von PV-Wechselrichtern sowie von jeglichen Umrichter-Applikationen mit hart schaltenden Topologien und Schaltfrequenzen bis zu 20 kHz zu steigern. Die IGBTs der M-Serie werden mit der verlustarmen Trench-Gate Field-Stop-Technologie von ST hergestellt. Sie verfĂŒgen ĂŒber ein neues Trench-Gate und eine speziell entwickelte vertikale PNP-Struktur, die gemeinsam einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Abschaltverlusten ergeben und die allgemeine LeistungsfĂ€higkeit der Bauelemente entscheidend steigern. Eine Kurzschlussfestigkeitszeit von mindestens 6 ”s bei einer anfĂ€nglichen Sperrschichttemperatur von 150 °C sowie ein großer sicherer Arbeitsbereich (Safe Operating Area – SOA) sorgen fĂŒr eine lĂ€ngere Lebensdauer und verbessern die ZuverlĂ€ssigkeit in Anwendungen, in denen eine hohe Verlustleistung gefordert wird. Die Bauelemente sind darĂŒber hinaus in GehĂ€usen erhĂ€ltlich, die eine neue Generation von Freilaufdioden enthalten. Letztere sind fĂŒr kurze Sperrverzögerungszeiten optimiert, zeichnen sich aber gleichzeitig durch einen geringen Spannungsabfall in Durchlassrichtung und eine hochgradig sanfte Charakteristik aus. Der positive Temperaturkoeffizient der SĂ€ttigungsspannung (VCE(sat)) und die geringe Exemplarstreuung vereinfachen außerdem die Parallelschaltung mehrerer Bausteine in Anwendungen mit höherem Leistungsbedarf. Einige wichtige Kenndaten der M-Serie:
  • 650 V Betriebsspannung – verglichen mit 600 V bei den meisten konkurrierenden Bausteinen
  • Der geringe VCE(sat)-Wert (1,55 V bei 25 °C) sorgt fĂŒr minimale Leitungsverluste
  • Herausragende Robustheit mit großem SOA und Latch-freiem Betrieb
  • Industrieweit bestes VerhĂ€ltnis zwischen Etot und Vce(sat)
  • Maximale Betriebs-Sperrschichttemperatur: 175 °C
  • Minimale Kurzschlussfestigkeitszeit von 6 ”s bei hoher Temperatur
  • Sehr begrenzte Spannungs-Überschwinger und keine Oszillationen beim Abschalten
Als ErgĂ€nzung der 650-V-IGBTs der HB-Serie fĂŒr höherfrequente Industrie-Anwendungen bis 60 kHz wird die heute angekĂŒndigte M-Serie mit Nennströmen von 10 A und 30 A angeboten. Ferner besteht die Auswahl unter verschiedenen Power-GehĂ€usen wie zum Beispiel TO-220, D2PAK und TO-247 LL (Long-Lead). Die Massenfertigung aller Bausteine hat bereits begonnen. Die Preise beginnen bei 1,- US-Dollar fĂŒr den 10-A-Baustein STGP10M65DF2 im TO-220-GehĂ€use (ab 1.000 StĂŒck).
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