Leistungsverstärker für Frequenzen von 2 bis 50 GHZ

Die für einen Frequenzbereich von 2 bis 50 GHz ausgelegten Leistungsverstärker-Chips vereinfachen das Systemdesign und verbessern die Performance, indem sie ein Umschalten zwischen den Frequenzbändern überflüssig machen. Jeder Verstärker enthält I/Os, die auf 50 Ω angepasst sind und dadurch die Integration in Multi-Chip-Module erleichtern. Alle technischen Daten beziehen sich auf die Kontaktierung des Die mit zwei Bonddrähten von 0,02 mm Durchmesser und 0,31 mm Länge. Die auf GaAs (GalliumArsenid) und einem pHEMT-Design (pseudomorphic High-Electron Mobility Transistor) basierenden Bausteine HMC1126 und HMC1127 eignen sich ideal für Messsysteme, Mikrowellen-Funksysteme und VSAT-Antennen, Aerospace- und Rüstungs-Applikationen, Telekommunikations-Infrastrukturen und Lichtwellenleiter-Anwendungen. Datenblätter zum Download und die Möglichkeit zum Bestellen von Mustern und Evaluation Boards gibt es auf den Produktseiten http://www.analog.com/HMC1126 http://www.analog.com/HMC1127 Melden Sie sich zum Webcast zum Thema verteilte Verstärker an: https://webinar.techonline.com/19992?keycode=CAA1GC Kontaktieren Sie Ingenieure und ADI-Produktexperten in der EngineerZone®, der Technical Support Community im Internet: https://ez.analog.com/community/hittite-microwave-and-analog-devices-support-collaboration-group Wichtige Eigenschaften des verteilten GaAs pHEMT MMIC Leistungsverstärkers HMC1127: P1dB Ausgangsleistung: 12,5 dBm Psat Ausgangsleistung: 17,5 dBm Verstärkung: 14,5 dB Ausgangs-IP3: 23 dBm Betriebsspannung: +5 V bei 80 mA I/Os angepasst auf 50 Ω Chipgröße: 2,7 x 1,45 x 0,1 mm Wichtige Eigenschaften des verteilten GaAs pHEMT MMIC Leistungsverstärkers HMC1126: P1dB Ausgangsleistung: 17,5 dBm Psat Ausgangsleistung: 21 dBm Verstärkung: 11 dB Ausgangs-IP3: 28 dBm Betriebsspannung: +5 V bei 65 mA I/Os angepasst auf 50 Ω Chipgröße: 2,3 x 1,45 x 0,1 mm