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© st microelectronics Komponenten | 17 Oktober 2014

Strahlungsfeste Spannungsreferenzen von STMicroelectronics

STMicroelectronics hat sein rasch wachsendes Portfolio an strahlungsfesten Produkten für Aerospace-Anwendungen soeben durch zwei Shunt-Spannungsreferenzen ergänzt.

Das ist eine Produktankündigung von STMicroelectronics. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Es handelt sich um die von 2,5 V bis 5,5 V einstellbare Spannungsreferenz RHF1009A und die 1,2 V Festspannungs-Referenz RHF100. Die speziell für die im Weltraum anzutreffenden hohen Strahlungsintensitäten ausgelegten Bausteine sind pinkompatibel zu vergleichbaren Industriestandard-Produkten. Sie besitzen die QML-V-Qualifikation der American Space Agency (DLA) und werden auf der European Preferred Parts List (EPPL) geführt. In dieser Aufstellung finden sich bevorzugte und geeignete Bauteile für die Verwendung durch europäische Hersteller von Raumfahrzeug-Hardware und dazugehörigen Ausrüstungen. Beide neuen Bauelemente werden mit der hochzuverlässigen 250 nm BiCMOS-Technologie von ST hergestellt. Diese hat sich in der langjährigen Produktion von Großserien-Consumer-Anwendungen und einer großen Vielzahl von ICs – darunter auch andere strahlungsfeste Produkte wie etwa A/D-Wandler – für anspruchsvolle Anwendungen im Aerospace-, Automotive- und Medizinbereich bewährt. Zu den ausgezeichneten elektrischen Kenndaten dieser Bauelemente gehören ein Temperaturkoeffizient von nur 5 ppm (typisch), eine durch Lasertrimmung erzielte Genauigkeit von ±0,15 %, eine hervorragend geringe Exemplarstreuung des Temperaturprofils sowie ein breiter Katodenstrombereich von 40 µA bis 12 mA. Dies sorgt für Flexibilität ohne Beeinträchtigung der Genauigkeit und Stabilität. Die exzellente elektrische Performance wird durch klassenbeste Strahlungsfestigkeit ergänzt, was an den TID- (Total Ionization Dose) und SEE-Werten (Single Event Effect) abzulesen ist. Die Bausteine sind ELDRS[1]-frei bis zu einer Strahlendosis von 300 krad (ihre wichtigen Kenndaten bleiben bis zu einer sehr hohen Strahlendosis konstant). Außerdem sind sie vollständig immun gegen Single-Event Latch-up-Phänomene (SEL-frei bis 120 MeV×cm²/mg bei 125 °C). Hinzu kommt ihre geringe Wahrscheinlichkeit von Single-Event Transients (SET-Querschnitt < 3×10-4). Solche Effekte sind stets von sehr kurzer Dauer und geringer Amplitude. Auf Anfrage ist ein detaillierter SET-Prüfbericht verfügbar. Zu diesen in Europa entwickelten, qualifizierten und hergestellten Bauelementen gibt es umfassende Charakterisierungsdaten, eine komplette Auswahl an Makromodellen (Pspice, Eldo, ADS) und Demo-Boards.
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2019.08.21 15:49 V14.1.4-1