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Komponenten | 18 Januar 2012

United Silicon Carbide entwickelt neue SiC-Bauteile mit AIXTRON SiC-Planetenreaktor-Technologie

Der amerikanische Halbleiterhersteller United Silicon Carbide, Inc. (USCi) mit Sitz in Princeton, New York, hat im vierten Quartal 2011 eine AIXTRON VP2400 Heißwand-CVD-Anlage bestellt. Die Auslieferung ist für das dritte Quartal 2012 geplant.

„Neben einer Analyse und Bewertung aller Hersteller von SiC-Epitaxie-Anlagen haben die guten Ergebnisse unserer Zulieferer, die kommerzielle Episubstrate auf AIXTRON Anlagen herstellen, den Ausschlag gegeben“, erläutert Dr. John Hostetler, technischer Direktor bei USCi. „Wir werden mit dem neuen Heißwandreaktor Epitaxieschichten aus p- sowie n-leitendem SiC von hoher Qualität herstellen und die Vielseitigkeit der Anlage für eine Reihe neuer Bauelemente-Designs nutzen.“ Dank hoher Wachstumsraten eigne sich diese auch ideal für die Entwicklung der nächsten Generation von SiC-Bauelementen im Hochspannungsbereich (5-15kV) mit Schichtdicken über 100 Mikrometern. „AIXTRONs Planetenreaktor-Anlagen haben sich in den letzten Jahren zum technischen Standard für die Massenproduktion von SiC-Bauelementen entwickelt“, so Dr. Hostetler. Durch den Erwerb der VP2400 könne USCi die eigenen Prozesse wiederum auf Anlagen seiner Unterlieferanten von Epitaxiewafern übertragen." „Wir haben unsere SiC-Planetenreaktor-Technologie in den letzten zehn Jahren stetig weiterentwickelt, daher spiegelt das Anlagendesign unser gesamtes Wissen über die Abscheidung von Silliziumkarbid“, fügt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President und Geschäftsführer von AIXTRON AB Schweden hinzu. „Wir freuen uns sehr, an der Entwicklung von SiC-Materialien für Baulelemente der nächsten Generation unseres Geschäftspartners zu partizipieren."
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