Fraunhofer: Galliumnitrid-Leistungselektronik mit Aixtron MOCVD-Anlage

Das IAF wird damit Galliumnitrid-Leistungsanwendungen auf Siliziumkarbid (SiC)-Substraten unter anderem für den Hochfrequenzbereich herstellen und so die kommerzielle Verfügbarkeit von GaN-Bauelementen vorantreiben. „Mit unseren vorhandenen Aixtron-Anlagen sind wir schon heute auf einem guten Stand, was die Weiterentwicklung von GaN-auf-SiC-Transistoren betrifft. Jetzt geht es darum, unsere Möglichkeiten deutlich zu erweitern,“ kommentiert Dr. Klaus Koehler, stellvertretender Abteilungsleiter der Epitaxie-Gruppe am IAF, den Anlagenkauf. Ziel ist die Herstellung AlGaN/GaN-basierender Transistor-Schichtstrukturen (HEMT) auf semiisolierenden 4-Zoll SiC-Substraten: „Wir sind überzeugt, dass die Anlage uns auch die für die Herstellung neuartiger Leistungsverstärker und monolithisch integrierter Schaltungen (MMICs) erforderliche sehr gute Homogenität und Kristallqualität liefern wird." "Die AIX 2800G4 HT wird in einer 11x4-Konfiguration und später auch in einer 6x6-Zoll-Konfiguration betrieben werden. Außerdem erlaubt die Anlage, zukünftig auch GaN-auf-Silizium (Si)-Prozesse durchzuführen, sollte dies einmal erforderlich sein", erklärte er weiter. Vice President Dr. Frank Schulte von Aixtron Europa bewertet die Inbetriebnahme der AIX 2800G4 HT als „den nächsten großen Schritt in der erfolgreichen wissenschaftlichen Zusammenarbeit mit dem IAF. Damit wird es gelingen, die Leistungsfähigkeit und Prozesstechnologie von GaN-Bauelementen weiter zu entwickeln." ----- AlGaN/GaN = Aluminiumgalliumnitrid/Galliumnitrid HEMT, High Electron Mobility Transistor = Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit