MELCO setzt auf MOCVD-Anlage von Aixtron

Die für 11x4-Zoll Wafer konfigurierte Anlage wird hauptsächlich in der Entwicklung und Massenproduktion von hocheffizienten Galliumnitrid-auf-Silizium-Leistungsverstärkern für Mobilfunk-Basisstationen eingesetzt. MELCO’s Entscheidung, eine G4-Anlage für die Herstellung hocheffizienter Leistungsverstärker zu erwerben, basiert auf der positiven Erfahrung mit der Aixtrons Vorgängeranlagengeneration G3 MOCVD. Die Planetenanlage ist äußerst flexibel und liefert eine maximale Ausbeute, die durch eine höhere Gleichmäßigkeit in der Beschichtung sowie eine minimale Waferkrümmung erreicht wird. Das Unternehmen sieht der Nutzung der Anlage in der Massenfertigung daher erwartungsvoll entgegen. Dr. Frank Wischmeyer, Vice President Power Electronics bei Aixtron, fügt hinzu: „Die Galliumnitrid-auf-Silizium-Technologie entwickelt sich zur Technologie der Wahl für die Produktion von Leistungselektronik auf 4“, 6“ und 200 mm Silizium, da sie sowohl hohe Leistungsfähigkeit als auch kostengünstige Herstellungsprozesse erlaubt. Wir freuen uns sehr, MELCO bei der Herstellung von monolithischen Leistungsverstärkern und diskreten HEMTs (High Electron Mobility Transistors) zu unterstützen.“