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Komponenten | 23 August 2007

Siemens und Infineon planen Joint Venture

Die Siemens-Sparte Power Transmission&Distribution (PTD) will mit der Infineon Technologies AG ein Gemeinschaftsunternehmen zur Entwicklung und Fertigung von Leistungshalbleitern gründen. Ein entsprechendes Memorandum of Understanding sei unterzeichnet worden.
Bereits jetzt unterhalte Infineon eine Technologiekooperation mit PTD zur Weiterentwicklung von Leistungshalbleitern, so genannten Hochleistungsthyristoren. Diese werden bei PTD im Bereich der der Hochspannungsgleichstromübertragung (HGÜ) eingesetzt. "Mit der geplanten Beteiligung sichern wir uns die Versorgung Hochleistungsthyristoren, die ein wichtiger Baustein für den Bau von HGÜ-Anlagen sind", so der Sprecher.

Das Gemeinschaftsunternehmen werde Infineon Technologies Bipolar GmbH&Co. KG heißen und in Warstein sitzen. Dort unterhält Infineon bereits eine Halbleiter-Produktionslinie. Infineon wird den Angaben zufolge mit 60% die Mehrheit der Anteile an dem Joint Venture (JV) halten. Finanzielle Details nannte der Sprecher nicht und verwies auf die geplante Vertragsunterzeichnung im September.

Die HGÜ-Technik ist speziell für die möglichst verlustarme Übertragung von Strom auf langen Strecken entwickelt worden und wird daher vor allem in Ländern wie China, Indien und den USA eingesetzt, wo mehrere hundert Kilometer zwischen Stromerzeugung und den Verbrauchern liegen können. In Europa sind derzeit beispielsweise neue HGÜ-Verbindungen zwischen den Niederlanden und Norwegen sowie, den Niederlanden und Großbritannien und zwischen dem italienischen Festland und Sardinien geplant.

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